LEE Flash-G2 : High Speed & High Density SONOS Flash

特徴


特許化されたユニークなメモリセル構造
Vddでのリード動作
MBクラスの容量まで可能
100k cyclesまでの書き換え可能
追加マスク4枚のみ
シンプルなIPアーキテクチャー
IDMのオリジナルプロセスをサポート
10年@85℃のデータ保持特性
FNトンネルによる書き換え

利点


〜20ns高速アクセス時間

   コアMOS電圧でのリード動作

業界最小コスト

   追加マスク4枚
   既存ソリューションの半分以下のテスト時間
  IP面積

搭載容易なIP

   追加マスク4枚
   追加熱処理不要で既存ロジックデバイスとの優れたコンパチビリティ

低消費電力書き換え

   1/1,000,000の低書き換え電流
   FNトンネル書き換え

非常に安定した品質

   100kcyc以上可能なロバストな書き換え耐性

広範囲のメモリ容量に対応

   1kB以下から数MBまで