LEE Flash-ZT : Zero Mask Flash

特徴


容量1kBまで可能
100k回まで書き換え可能
追加マスク不要
標準ポリCMOS
シンプルなIPアーキテクチャー
IDMのオリジナルプロセスをサポート
10年@150℃のデータ保持特性
FNトンネル書き換え




利点


業界最小コスト

   標準CMOSプロセスで搭載可能、追加マスク不要
      CMOSのゲートPoly Si電極がフローティングゲート
      N-Wellがコントロールゲート
   現行ソリューションの半分以下の短テスト時間
   小さなIP面積

搭載容易なIP

   標準CMOSプロセスで搭載可能、追加マスク不要

非常に小さな書き込み消去電力

   1/1,000,000以下の小プログラム電流

高信頼性要求に対応可能

   1ビットを相補的2セルで構成