チップデザイン・半導体の世界を変える、革新的不揮発性メモリ技術

  ユニークな特許に基づくLEE NVM IP*ポートフォリオ
  低消費電力・小チップ面積・短テスト時間・生産コスト削減・高信頼性
  経験豊富なエキスパートによる製品化サポート
   *Low Cost Easily Embedded Non-Volatile Memory Intellectual Property

News


2016.10.12-13 フローディアは中国長沙にて開催されます「ICCAD 2016」に参加いたします。

2016.6.27 フローディア、米国スタンフォード大学にて開催される第6回Japan-US Innovation Awardにより、日本初の革新的なベンチャー企業として選出されました!より詳しく(英文)

2016.6.6-8 テキサス州オースティンで行われる「Design Automation Conference (DAC)」に出展いたします。

2016.5.20 LEE Flash ZTがMaxchip社の0.18BCD プロセスにおいて実検証が完了いたしました。詳細はこちらから。

2016.5.2-4 「Cadence CDN Live in Munich」に出展いたします。

2016.4.25 おかげさまでフローディアは5周年を迎えました。

2015.12.10-11 フローディアは中国天津にて開催されます「ICCAD 2015」に参加いたします。

2015.11.27 フローディアはシンガポールにて開催されます「Infineon Venture Forum 2015」に参加いたします。

2015.11.11 2015年10月27日増資を行い、資本金を4億5140万円としました。

2015.10.26 Cadence CDN Live in Israel に出展しました。

2015.6.17 出資決定のお知らせ

 株式会社 産業革新機構(本社:東京都千代田区、代表取締役社長 能見公一)から、 事業展開に必要な資金として6億円を上限とする出資が決定し、一部を出資頂きました。 また、三菱UFJキャピタル株式会社(本社:東京都中央区、代表取締役社長:安藤啓)、 大和企業投資株式会社(本社:東京都千代田区、代表取締役社長:川ア憲一)からも 2億円を上限とする出資の決定を頂き、併せて8億円の出資を頂くことになりました。 弊社は、これらの資金を活用し、IoT製品に求められる低コスト・低消費電力・高性能な 組込み型不揮発性メモリーを提供し、市場の発展に貢献して参ります。

 本件に関する(株)産業革新機構のお知らせはこちらをご覧ください。


2014.9.5 2014年8月29日増資を行い、資本金を5150万円としました。

2014.7.1 業務拡張のため移転、住所が変更になりました。