Application

非揮發性嵌入式快閃記憶體(eNVM)技術無處不在,它是實現物聯網應用、擴展汽車電子和智能手機功能不可或缺的要素。

憑藉富提亞科技獨有的嵌入式NVM技術,晶片設計製造可以達到更高水平的性能和,並推動創新。

Iot

物聯網應用的實現需要更智能的終端產品設計,並需要通過嵌入式快閃記憶體的技術進行本地處理和存儲信息。富提亞科技創新的嵌入式快閃記憶體IP—G2具有以最低成本實現超低功耗,以及快速啟動或常關功能的特性。
G2的另一大優勢是設計人員可以透過標準的晶片製程,在晶片上實現最低成本和低功耗的神經網絡。

  • ZT: 感應器、類比及混合訊號IC晶片
  • ZT/G2: 用於低功耗藍芽的參數調整及記憶體編程
  • G1/G2: MCU快閃記憶體
  • G2:類神經元件, 類神經突觸網路

Automotive

為保障駕駛與乘客的安全性,在嚴酷險峻的環境下,更是需要使用高品質的車規晶片。
但是,一般可多次編程的記憶體(MTP)或嵌入式快閃記憶體(eFlash),很少能達到此需求。
富提亞科技針對這樣的問題,以在車規快閃記憶體IP的領域裡最高水準的設計、測試及製程,開發出更安全且使用次數更高的快閃記憶體IP。ZT已被運用在AEC-Q100,並且被使用在日本多家車規電子的應用上。G1及G2也透過富提亞科技獨有的技術克服了在高溫操作時保留數據的問題,這個問題一直以來被認為是使用SONOS型快閃記憶體在汽車電子應用上的弱點。

  • ZT: 感應器、類比及混合訊號IC晶片
  • G1/G2: MCU快閃記憶體

Smart Phone

為支援通訊開發,「低功耗」是不可或缺的要件。所有富提亞科技的IP都只需要以非常低的電壓執行寫入/抹除的動作。 不僅如此,在G2在晶片的部分,更支援標準核心電壓的讀取操作。使用富提亞科技的IP可以縮短測試及製程的時間,並且降低成本。

  • ZT/G1:觸控驅動IC
  • ZT/G1/G2:光學相機手震校正 IC.
  • ZT:電源控制IC

Smart Card

ZT及G1常被組裝及運用在智慧型手機內的感應器及驅動IC器中。
為滿足服務供應商對於資料的安全性等要求,智能卡被要求一定的品質及信賴度。
富提亞科技的工程師們在GSM SIM卡及智能卡的問題解決/產品開發等方面擁有豐富的經驗及知識。G2不只在成本及性能方面表現優異,也有良好的信賴性,可以滿足追求高品質的客戶。

MCU w/ Flash

G1和G2是MCU應用的有效解決方案,不僅可以支援以品質和可靠性為關鍵的汽車產業和工業應用所需的高溫操作,同時還可以提高成本競爭力。G2的獨特性可實現“快速啟動”和“動態可配置記憶體結構”等實用的功能,除了可以提高晶片設計的自由度,也利於製造通用性晶片。

  • G1/G2: MCU Flash
  • G2: 快速啟動
  • G2: 動態可配置記憶體結構