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LEE Flash G2, Flash beyond Flash
LEE Flash G2（G2）提供一般嵌入式快閃記憶體IP所沒有的獨特功能，是跨世代創新的快閃IP。G2是在由單純SONOS架構製成的G1側面安裝開關電晶體的構造。G2維持G1追加光罩所需成本較低的特性，另外因讀取時不需高電壓，在記憶體位元與邏輯電路之間也不需放置分離區域，有利於電路布局作業。
G2因為擁有非常特殊的VDD架構，快閃位元可直接連接邏輯電路。因此可以使SRAM等邏輯元件達到非揮發性的可能，開創非揮發記憶體的新世代。此外，對於在應用程式等方面需要極大記憶體容量的客戶，G2是一個高經濟效益的解決方案。讀取時不需高電壓，可省去分離區域利於電路布局作業
Major Features
- 讀寫功耗低
- 測試與製程時間短，有助於降低成本
- 追加光罩最多4至5片
- 不會改變標準規格CMOS製程上的SPICE模型，可重複使用現有的設計及IP
Logic Compatibility
因為寫入及抹除動作的高電壓不會被施加於擴散層，所以所有的讀取電路都由標準規格的核心電晶體所構成。因此與週邊的邏輯電路保持良好的相容性，如同SRAM一樣，可與邏輯電路混合。
High Speed by VDD operation
藉VDD達到高速動作
Large Memory Capacity
大容量記憶體
High Temperature
G2於125 °C的高溫下可連續使用20年
Large Programming Size enables Short Testing Time
G2因使用FN穿隧技術，在執行寫入/抹除動作所消耗的電力非常微小，與一般使用熱載子注入來達到寫入/抹去動作的技術相比，穿隧技術只需使用其1/1,000,000的電流即可。這樣可幫助縮短測試時間，同時也有利降低成本。
Low cost
Short Baking Time
富提亞科技獨有的記憶體結構,可簡化預測記憶體位元壽命的過程，這樣可縮短晶圓公司篩選晶圓時間。
4-5 Mask adder
G2使用在標準規格的CMOS上時只需要追加4至5片的光罩，可以降低因開發非揮發性嵌入式快閃記憶體時所需要的高額光罩成本。若是一般的非揮發性記憶體的話，通常在先進製程上需追加10片以上的光罩。
Re-use of existing IP asset
與一般的快閃IP不同，富提亞科技的快閃IP因不影響邏輯電晶體及SPIEC模型的架構，所以可以重複利用製程上既有的IP。
Short Test Time: G2 achieves very short test time for two reasons.
- G2所需要的測試時間很短，主要有兩個原因，其中之一為執行一次寫入/抹去所需的電力極小，所以可讓測試人員一次便可測試整個記憶體晶片，不同於傳統的嵌入式快閃記憶體只能小單位寫入/抹去，G2所需的整體測試時間很短。
- 另一個原因為G2編程的Vt分布因為很集中，所以可降低多次編程和驗證的需求，因此不需要複雜的步驟便可完成編程操作，進而大幅縮短編程的時間。
Sample Spec
| LEE Flash G2 | ||||
|---|---|---|---|---|
| Item | Specification | |||
| Process platform | 90nm | 55nm | 40nm | |
| supply voltage | 1.62V~3.6V | |||
| Extra mask | 5 | |||
| Endurance | 100K | |||
| Data retention | 10 years@125°C | |||
| Program / Erase method | FN tunneling / FN tunneling | |||
| P / E time | ~2msec / ~10msec | |||
| P / E unit (Bytes) | 512B / 2kB | 1kB / 4kB | ||
| P / E current | ≦2mA | |||
| Access time | 10~20ns | |||
| Read current | ~60uA/MHz | |||
Track Record
- Qualified at 90nm ：可量產
- In development at 55nm：開發中