LEE Flash ZT, Zero Additional Mask MTP

EE Flash ZT

LEE Flash ZT(ZT)具備車規電子要求的耐高溫特性。特別適用於汽車的感測器、電源及類比IC等的參數調整與數據儲存。另外,因測試及製程時間短,所以也可達到降低成本的效益。在製程過程中不需要追加任何額外的光罩與製程步驟。ZT可支援約最高40奈米的工藝節點和10K次 P / E週期。

Major Features

  1. 具有在惡劣的汽車環境下可高溫動作及保存的特性
  2. 讀取動作只需微小電力
  3. 測試與製程時間短,有助於降低成本
  4. 可於標準的CMOS裝置搭載既有的設計及IP
  5. 設計簡單,不需追加光罩

High Temperature Operation

ZT於125 °C的高溫下可連續使用20年
ZT在車規電子的應用量產已有相當好的評價

Large Program Size enables Short Testing Time

EE Flash ZT image

ZT因使用FN穿隧技術,在執行寫入/抹除動作所消耗的電力非常微小,與一般使用熱載子注入來達到寫入/抹去動作的技術相比,穿隧技術只需使用其1/1,000,000的電流即可。這樣可幫助縮短測試時間,同時也有利降低成本。

Low Cost

Short Baking Time

富提亞科技獨有的記憶體結構可簡化預測記憶體位元壽命的過程,這樣可縮短晶圓公司篩選晶片時的時間。

Zero Mask

因為當ZT使用在標準規格CMOS上時不需要額外變更或追加光罩,所以不會增加成本。

Field Programmability

富提亞科技的ZT可以讓客戶在交付產品時,或甚至在產品已在運作時,對NVM進行編程,以便微調或參數設定。

Sample Spec

LEE Flash ZT
Item Specification
Process platform 350nm 180nm 130nm 55nm
supply voltage 2.7V~3.6V
Extra mask 0
Endurance ≦10K 100K
Data retention 20 years@  125°C 10 years@  85°C
Program / Erase method FN tunneling / FN tunneling
P / E time 20ms 10ms
P / E unit (bits) 128b/2Kb 256b/1Kb 256b/8Kb 128b/1Kb
P / E current ≦0.5mA 2mA
Access time 100ns
Read current 100uA/MHz 50uA/MHz

Track Record

  • 350nm:量產中
  • 180BCD:已於HHGrace(華虹宏力)上架
  • 130nm:已獲日本數家IDM廠採用
  • SMIC 55nm開發中,預計 2022 年第二季tape-out