高温動作

SONOSは、窒化シリコン膜に電子をトラップすることでメモリ機能を実現するデバイスであり、そのデータ保持寿命は、酸化膜および窒化シリコン膜の膜厚および膜特性の最適化によって制御することができます。G1は125℃で動作し、125℃20年間のデータ保持が可能です。

テスト時間の短縮

低コスト

テスト時間の短縮: 2つの理由から大幅にテスト時間を短縮することが可能です。

1. 書き込み/消去時の消費電力が非常に小さいため、テスト時にはメモリマット全体を一度に書き込み/消去することができます。従来の書き込み方式のように小さなセクションを何度も消去してメモリマット全体を書き込み/消去する必要がありません。
2. 書き込み後のメモリのVt分布は均一のため、書き込みベリファイが不要かつ書き込み動作が一回で完了するため、書き込み時間が短縮されます。

ベーク時間の短縮

フローディア独自のメモリ構造は、メモリセルの寿命予測を簡素化し、チップ会社のスクリーニングのためのベーク時間を短縮することができます。

追加マスク（２～３枚）

G1は、標準CMOSプロセスで2〜3枚の追加マスクしか必要としないため、チップ上に不揮発性メモリ機能を実装するための高価なマスクコストを削減できます。従来のソリューションでは、通常10枚以上の追加マスクが必要とされます。

既存のIP資産の再利用

通常のフラッシュIPと異なり、当社のフラッシュIPはロジック・トランジスタのSPICEモデルには影響せず、開発された既存のIP資産を再利用することができます。