会社情報

Floadiaは半導体不揮発性メモリのエキスパート集団です。


 フローディアは、ルネサスエレクトロニクス株式会社で20年以上にわたりフラッシュメモリーを開発していたエンジニアが2011年に設立したベンチャー企業です。メモリー製造に必要な工程・回路設計を、IP(回路ブロック)としてライセンス提供するビジネスモデルを展開しています。フローディアの開発チームは、回路設計だけでなく製造プロセスの細部にまで精通しているエンジニアで構成されており、顧客の要求スペックに応じた最適メモリーの開発を実現できることが強みとなっています。

 スマートフォン、タブレットなどのバッテリー駆動の端末が日進月歩で高機能化している中、基幹部品の一つであるメモリーも、更なる省電力・省スペース・低コスト化が求められています。その中で組込み型不揮発性メモリー*は、プログラム格納、データ保存、性能調整(トリミング)、暗号キーの保存など幅広い用途があり、需要が拡大しています。フローディアは、追加コストを極力抑えながら、不揮発性メモリーを他の演算用半導体と同じチップに埋め込む技術を開発し、低コスト化、省スペースを実現しました。さらにフローディアの組込み型不揮発性メモリーは、電子書込みに際しFNトンネル方式**を使うことで、メモリセル1個当たりの消費電力を従来の10万〜100万分の1程度に抑えることを可能にしました。

 今後普及が見込まれるIoT(Internet of Things)製品の構成部品としてもメモリーは不可欠です。フローディアの低コスト、低消費電力のメモリーは、ビーコンや各種センサーなどのIoT端末の大量普及を可能にし、IoTビジネスの収益性を高めることで、今後のIoT市場の拡大に貢献することが期待されます。

 また、半導体の集積度が進むにつれ、製造コストがさらに高騰する半導体製造メーカーやファブレス企業にとっても、フローディアの汎用性・利便性の高いメモリーを導入することで、製造コストと量産立ち上げ期間を削減することができます。

  *不揮発性メモリー:半導体メモリーの中でも、電源供給を行わない状態でも書き込まれたデータが消えない半導体メモリーの総称。フローディアでは不揮発性メモリーをIP(回路ブロック)としてライセンス提供している
  **FNトンネル方式:ゲートと基板間に高電圧をかけ、電子が電荷蓄積層に移動する(トンネル効果)ことで、不揮発メモリー化させる

会社概要

マイルストーン


 2011年ルネサスエレクトロニクス出身のNVMデザイン・プロセス・テストエキスパートにより創立
 2013年LEE Flash-ZT及びLEE Flash-G1のシリコン
 2014年LEE Flash-G1及びG2をPowerchip Technology Corporationに移植開始
 2015年株式会社 産業革新機構、三菱UFJキャピタル株式会社、大和企業投資株式会社による投資実施


役員


会長 長沢幸一
代表取締役社長奥山幸祐
社外取締役安永謙
監査役久保田勝彦


投資企業


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会社情報


会社名 株式会社フローディア
創立日2011年4月25日
会長 長沢幸一
代表取締役社長奥山幸祐
資本金4億5140万円
取引銀行三菱東京UFJ銀行
業務内容半導体IPの開発・ライセンス・販売、共同開発、コンサルティング