企業情報

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企業理念&社是

フローディアは、チャレンジ精神を大切に、全従業員の知恵と努力により、人類の利便性に必要な技術の飽くなき追究を継続し、社会の進歩発展に貢献することを基本理念とする。 あわせて、公明正大、謙虚な心で仕事に当たり、お客様第一を経営活動の原点とし、自然を敬い、人を愛し、一人ひとりが良識ある市民として、真に豊かな社会の実現に尽力する。

創意工夫、和と誠
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会社概要

株式会社フローディア

2011年4月、ルネサスエレクトロニクス株式会社で20年以上フラッシュメモリ開発をしてきた7人のエンジニアが、株式会社フローディアを設立しました。
メモリデバイスや回路設計だけでなく、製造プロセスや品質保証に関する深い知識を持った経験豊富なエンジニアが集まり、高品質の不揮発性メモリIPを世界中へ提供しています。

会社名
株式会社フローディア
設立日
2011年4月25日
所在地
〒187-0031 東京都小平市小川東町1丁目30−9 マルメゾン2F
電話番号
042-346-5510
代表取締役
奥山 幸祐
取引銀行
株式会社三菱UFJ銀行
業務内容
不揮発性メモリの設計、開発、販売、コンサルティング
海外連絡先
  • 日商富提亞科技有限公司台湾分公司
    R612/ R618, Center of Innovative Incubator, NTHU No. 101, Section 2, Guangfu Road, Hsinchu, Taiwan 30013, R.O.C.
  • Europe/Israel Sales
    Wim Rijlaarsdam ing.
  • US Sales
    Elly Chang.

沿革

2023
シリーズD資金調達を完了(10.5億円)
2023
TSMC の130BCDプラットフォームでLEE-Flash G1の認定完了
2022
シリーズC資金調達を完了(12億円)
2021
180BCDプラットフォームにオートグレード0のLEE-Flash ZTを備え付け
2020
東芝のMCUにLEE-Flash G1を搭載、量産を開始
2017
ファウンドリとのコラボレーションのためFloadia台湾支店を設立
シリーズB資金調達(16億円)
2015
シリーズA資金調達(8億円)
2014
PSMCでLEE-Flash G1搭載のスマートフォンICの量産を開始
2013
日本のIDMでオートグレード0 のLEE-Flash ZT量産を開始
2011
株式会社フローディア設立
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役員紹介

  • phot: 奥山 幸祐
    代表取締役社長CEO

    奥山 幸祐

  • phot: 谷口 泰弘
    取締役

    谷口 泰弘

  • phot: Elly Chang
    取締役

    Elly Chang

  • phot: 菅谷 常三郎
    取締役

    菅谷 常三郎

    みやこキャピタル株式会社
  • phot: 丸田 剛志
    取締役

    丸田 剛志

    稲畑産業株式会社
  • phot: Kuo Wu
    独立社外取締役

    Kuo Wu

  • phot: 長沢 幸一
    相談役

    長沢 幸一

監査役
久保田 勝彦
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投資家&パートナー

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アクセス

フローディア本社

〒187-0031 東京都小平市小川東町1丁目30−9 マルメゾン2F

日商富提亞科技有限公司台湾分公司

R612/ R618, Center of Innovative Incubator, NTHU No. 101, Section 2, Guangfu Road, Hsinchu, Taiwan 30013, R.O.C.

Europe/Israel Sales

Wim Rijlaarsdam ing.

US Sales

Elly Chang.
Floadia Corp.

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