Products

フローディアのIPは書き込み・消去のメカニズムとして「FNトンネル電流」を用いているため、書き換え動作が低消費電力となり、またテスト時間においてもメモリ領域全体を一度に書き込み・消去することが可能となるため、テスト時間を短縮することができます。さらにフローディアのIPは、すべてのIPにわたって自動車グレード対応の高温動作を保証します。
Floadia Products benchmark

LEE Flash ZT

■ 容量1kBまで可能
■ 100k cyclesまで書き換え可能
■ 10年@150°Cのデータ保持特性

LEE Flash G1

■ 容量100kBまで可能
■ 100k cyclesまで書き換え可能
■ 10年@85℃のデータ保持特性

LEE Flash G2

■ Vddでのリード動作
■ MBクラスの容量まで可能
■ 100k cyclesまで書き換え可能
■ 10年@85℃のデータ保持特性

  • Our Mission!

    私たちの使命は、組込みフラッシュ技術を手頃で使いやすいものにし、地球上の全てのチップでこの素晴らしい技術を採用していただくことです。

    代表取締役社長:奥山 幸祐

    Photo:代表取締役社長 奥山 幸祐
  • Our Innovation!

    私たちは、チップ設計手法とコンピュータアーキテクチャを革新的に変える可能性のある新しい組込み型フラッシュIPを開発しました。しかもそれは非常にシンプルで簡単に製造できるという特徴を有しています。

    会長:長沢 幸一

    Photo:会長 長沢 幸一
  • Our expertise!

    私たちは、20年以上にわたって不揮発性メモリを開発してきたエンジニア集団です。

    取締役:谷口 泰弘

    Photo:取締役 谷口 泰弘

Technology

フローディアのG1およびG2は、SONOS構造を採用しており、他で採用されているフローティング型不揮発性メモリ構造に比べて多くの利点があります。
  • The Beauty of SONOS

    The Beauty of SONOS

    フローディアのG1およびG2は、SONOS構造を採用しており、他社が採用しているフローティング型不揮発性メモリ構造に比べて多くの利点があります。

  • High Speed NV-SRAM

    High Speed NV-SRAM

    フローディアのG2は、読み出し動作に高電圧を必要としない非常にユニークな機能を備えています。

  • Quality

    Quality

    1. 設計品質管理
    2. 高信頼性

About Floadia

フローディアは、20年以上にわたって不揮発性メモリを開発してきた経験豊富なエンジニアを有しています。フローディアの開発チームは、メモリデバイスや回路設計だけでなく、製造プロセスと品質保証の深い知識を持ち、フルレンジのサービスも提供します。

Partners

  • Powerchip
  • INCJ
  • Daiwa COrporate Inversment
  • Mitsubishi UFJ Capital
  • UMC CAPITAL
  • FARADAY
  • Real Tech Fund
  • SBI Inversment
  • MIRAI SOUZOU
  • TEL VENTURE CAPITAL, INC

Information