Products

富提亞科技所設計的IP,因使用「FN穿隧電流」來執行編程及抹去的動作,所以在讀取時只需消耗微小的電力即可執行。

除此之外,富提亞科技的IP能夠使記憶體區塊內的所有元件在同一時間內執行寫入/抹去的動作,因此可以縮短測試的時間。

值得特別一提的是,富提亞科技所設計的所有IP都具備車規電子必備的耐高溫的特性。

Floadia Products benchmark

LEE Flash ZT

小面積、低成本的MTP解決方案
ZT於150 °C的高溫下可連續使用20年

LEE Flash G1

簡易型SONOS嵌入式快閃記憶體
使用光罩少、測試時間短

LEE Flash G2

次世代SONOS嵌入式快閃記憶體解決方案

  • Our Mission!

    我們的任務是提供超群又好用的嵌入式快閃記憶體,並讓全世界的記憶體晶片皆能受惠於此技術。

    CEO & President:Kosuke Okuyama

    Photo:CEO & President Kosuke Okuyama
  • Our Innovation!

    我們開發出的嵌入式快閃記憶體不但可以改變現代晶片的設計及運算架構,同時容易操作及製造。

    Chairman:Koichi Nagasawa

    Photo:Chairman Koichi Nagasawa
  • Our expertise!

    我們是一群擁有30多年NVM設計經驗的工程師,實力不容小覷!

    CTO:Yasuhiro Taniguchi

    Photo:CTO Yasuhiro Taniguchi

Technology

富提亞科技的G1和G2採用SONOS結構,與其他公司採用的分裂閘極式快閃記憶體結構相比,具有相當多的優勢。
  • The Beauty of SONOS

    The Beauty of SONOS

    富提亞科技的G1和G2採用SONOS結構,與其他公司採用的分裂閘極式快閃記憶體結構相比,具有相當多的優勢。

  • High Speed NV-RAM

    High Speed NV-RAM

    富提亞科技的G2使用VDD支援「讀取」動作,這是富提亞科技獨有的技術。
    一般的嵌入式非揮發記憶體通常在執行寫入/抹除/讀寫的動作時,需要一定的高電壓;但G2單位的高電壓供給只限於記憶體閘極而已。

  • Quality

    Quality

    1. 管理設計品質
    2. 朝向高品質邁進
    3. 量產零缺陷

About Floadia

2011年4月,7位來自日本瑞薩電子的工程師,創立了日商富提亞科技。
這7位工程師在瑞薩電子累積近20年的實務經歷,並希望透過此經歷開發出有別於市場上更好使用的非揮發性嵌入式快閃記憶體。

Partners

  • Powerchip
  • INCJ
  • Daiwa COrporate Inversment
  • Mitsubishi UFJ Capital
  • UMC CAPITAL
  • FARADAY
  • Real Tech Fund
  • SBI Inversment
  • MIRAI SOUZOU
  • TEL VENTURE CAPITAL, INC

Information