Products

富提亚科技所设计的IP,因使用「FN穿隧电流」来执行编程及抹去的动作,所以在读取时只需消耗微小的电力即可执行。

除此之外,富提亚科技的IP能够使内存区块内的所有组件在同一时间内执行写入/抹去的动作,因此可以缩短测试的时间。

值得特别一提的是,富提亚科技所设计的所有IP都具备车规电子必备的耐高温的特性。

Floadia Products benchmark

LEE Flash ZT

小面积、低成本的MTP解决方案
ZT于150 °C的高温下可连续使用20年

LEE Flash G1

简易型SONOS嵌入式闪存
使用光罩少、测试时间短

LEE Flash G2

次世代SONOS嵌入式闪存解决方案

  • Our Mission!

    我们的任务是提供超群又好用的嵌入式闪存,并让全世界的内存芯片皆能受惠于此技术。

    CEO & President:Kosuke Okuyama

    Photo:CEO & President Kosuke Okuyama
  • Our Innovation!

    我们开发出的嵌入式闪存不但可以改变现代芯片的设计及运算架构,同时容易操作及制造。

    Chairman:Koichi Nagasawa

    Photo:Chairman Koichi Nagasawa
  • Our expertise!

    我们是一群拥有30多年NVM设计经验的工程师,实力不容小觑!

    CTO:Yasuhiro Taniguchi

    Photo:CTO Yasuhiro Taniguchi

Technology

富提亚科技的G1和G2采用SONOS结构,与其他公司采用的分裂闸极式闪存结构相比,具有相当多的优势。
  • The Beauty of SONOS

    The Beauty of SONOS

    富提亚科技的G1和G2采用SONOS结构,与其他公司采用的分裂闸极式闪存结构相比,具有相当多的优势。

  • High Speed NV-RAM

    High Speed NV-RAM

    富提亚科技的G2使用VDD支持「读取」动作,这是富提亚科技独有的技术。
    一般的嵌入式非挥发内存通常在执行写入/抹除/读写的动作时,需要一定的高电压;但G2单位的高电压供给只限于内存闸极而已。

  • Quality

    Quality

    1. 管理设计质量
    2. 朝向高质量迈进
    3. 量产零缺陷

About Floadia

2011年4月,7位来自日本瑞萨电子的工程师,创立了日商富提亚科技。
这7位工程师在瑞萨电子累积近20年的实务经历,并希望透过此经历开发出有别于市场上更好使用的非挥发性嵌入式闪存。

Partners

  • Powerchip
  • INCJ
  • Daiwa COrporate Inversment
  • Mitsubishi UFJ Capital
  • UMC CAPITAL
  • FARADAY
  • Real Tech Fund
  • SBI Inversment
  • MIRAI SOUZOU
  • TEL VENTURE CAPITAL, INC

Information