LEE Flash ZT, Zero Additional Mask MTP

EE Flash ZT

LEE Flash ZT(ZT)は車載グレードの温度と品質を達成しています。 特に車載アプリケーション向けのセンサ、電源、アナログICなどのトリミングとパラメータ保存に最適です。また、テスト時間とベーキング時間が非常に短いため、テストコストの低減が可能です。製造時にマスクやプロセスステップを追加する必要はありません。約40nmまでのプロセス・ノードと最大10K回のP/Eサイクルをサポートします。

Major Features

  1. 過酷な自動車環境に対応した高温動作および高いデータ保持特性
  2. 極少消費電力の書き換え
  3. テスト時間とベーク時間の短縮によりチップコストを削減可能
  4. 既存のデザインとIPを再利用するための標準CMOSプロセスに搭載可能
  5. 簡単な実装であるため、追加マスクは不要

高温動作

ZTは、150℃で20年間のデータ保持が可能です。また、車載品質のサポート実績があります。

テスト時間が短縮可能

EE Flash ZT image

ZTは、FNトンネル技術により、書き込みおよび消去電流が極めて低く、ホットキャリア注入を使用する従来の技術と比較して、消費電流は1 / 1,000,000です。これにより、チップコストの大部分を占めるテスト時間を短縮できます。

低コスト

テスト時間の短縮

  1. 書き込み/消去時の消費電力が非常に小さいため、テスト時にはメモリマット全体を一度に書き込み/消去することができます。従来の書き込み方式のように小さなセクションを何度も消去してメモリマット全体を書き込み/消去する必要がありません。
  2. 書き込み後のメモリのVt分布は均一のため、書き込みベリファイが不要かつ書き込み動作が一回で完了するため、書き込み時間が短縮されます。

ベーク時間の短縮

フローディア独自のメモリ構造は、メモリセルの寿命予測を簡素化し、チップ会社のスクリーニングのためのベーク時間を短縮することができます。

マスク0

ZTは、標準的なCMOSプロセスの変更や追加のマスクを必要とせず、チップに不揮発性メモリを実装するためのコスト増加はありません。

フィールドプログラマビリティ

ZTを採用することで、システム製品を出荷時だけでなく既に市場のシステムに組み込まれ稼働中の製品のトリミング値/パラメータ設定を書き換え・調整することができます。

仕様例

LEE Flash ZT
項目 仕様
プロセスプラットフォーム 350nm 180nm 130nm
電源電圧 2.7V~3.6V
追加マスク 0枚
P/E 耐性 ≦10K
データ保持時間 20 年@~150°C
P/E 方式 FNトンネル/FNトンネル
P/E 時間 20ms
P/E 単位 (bits) 128b/2Kb 256b/1Kb 256b/8Kb
P/E 電流 ≦0.5mA
アクセス時間 100ns
読出し電流 100uA/MHz

トラックレコード

  • 350 nm:量産中
  • 130nm:国内IDMで認定済み
  • 40nm~180nm:ファウンドリで評価中