2021年11月15日：当社の高品質eNVM（埋め込み型不揮発性メモリ）、「ZT」（150℃で10年間のデータ保持が可能）が中国の大手ファウンドリ、Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation（HHGrace）の180BCDプラットフォームで利用可能になりました。

ZTは、追加のマスクや工程を必要とせず、標準ロジックおよびBipolar-CMOS-DMOS（BCD）プロセスと完全に互換性があります。数キロビットの容量をサポートし、150℃10年間のデータ保持と最大10万回の書き換えが可能であり、FNトンネリングにより低電力のプログラムと消去を実現しています。

ZTは、駆動系、圧力センサー、モータードライバー、エンジン制御等、さまざまな自動車アプリケーション向けに日本のIDM数社で採用されています。 HHGrace 180BCDプラットフォームで新たに採用されたZT IPは自動車および産業用途に最適な4kビットマクロであり、市場でのトリミング、キャリブレーション、および頻繁なID更新等をサポートし、2022年に量産展開計画を立てている中国の地元の自動車用チップメーカーに採用されています。