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中国の大手ファウンドリ HHGrace社 180BCDプラットフォームでZTが利用可能

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2021年11月15日:当社の高品質eNVM(埋め込み型不揮発性メモリ)、「ZT」(150℃で10年間のデータ保持が可能)が中国の大手ファウンドリ、Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation(HHGrace)の180BCDプラットフォームで利用可能になりました。

 

ZTは、追加のマスクや工程を必要とせず、標準ロジックおよびBipolar-CMOS-DMOS(BCD)プロセスと完全に互換性があります。数キロビットの容量をサポートし、150℃10年間のデータ保持と最大10万回の書き換えが可能であり、FNトンネリングにより低電力のプログラムと消去を実現しています。

 

ZTは、駆動系、圧力センサー、モータードライバー、エンジン制御等、さまざまな自動車アプリケーション向けに日本のIDM数社で採用されています。 HHGrace 180BCDプラットフォームで新たに採用されたZT IPは自動車および産業用途に最適な4kビットマクロであり、市場でのトリミング、キャリブレーション、および頻繁なID更新等をサポートし、2022年に量産展開計画を立てている中国の地元の自動車用チップメーカーに採用されています。