LEE Flash G1

G1

製品情報

LEE Flash G1,best fit eFlash to BCD process

LEE Flash G1（G1）はシンプルなSONOSアーキテクチャをベースにしており、40nm世代まで縮小可能で、自動車グレードの高温動作と品質をサポートします。
G1は、中規模のメモリ容量を必要とするコスト効率の高いフラッシュメモリソリューションです。
また、G1を採用してもロジック・トランジスタやSPICEモデルの特性が変わらないため、標準のCMOSプラットフォーム用に開発された既存のIPと設計資産を再利用することができます。

Major Features

  1. 過酷な自動車環境に対応した高温動作および高いデータ保持特性
  2. 極少消費電力の書き換え
  3. 追加マスク最大3枚
  4. 標準CMOSプロセスのSPICEモデルへの影響がないため、既存のIPと設計資産を再利用可能
  5. テスト時間とベーク時間の短縮によりテストコストを削減可能
Image: LEE Flash G1,best fit eFlash to BCD process

仕様例

LEE Flash G1
ItemSpec
Process platform130BCD
Memory Size64 Kbyte
Data Bus(Main)32 I/O
P/E Cycles100k
Supply VoltageVDD 1.5V±10%
VCC 2.5V~5.5V
Additional Masks2~3
Operation Temperature(Tj)-40~175℃
Data Retention10years@175℃ post PE 10K

高温動作

SONOSは、窒化シリコン膜に電子をトラップすることでメモリ機能を実現するデバイスであり、そのデータ保持寿命は、酸化膜および窒化シリコン膜の膜厚および膜特性の最適化によって制御することができます。データ保持特性は、10年以上＠200℃を確認しています。

テスト時間が短縮可能

P/E: FN tunnel current

G1は、FNトンネル技術により、書き込みおよび消去電流が極めて低く、ホットキャリア注入を使用する従来の技術と比較して、消費電流は1 / 1,000,000です。これによりテストコストの大部分を占めるテスト時間を短縮できます。

低コスト

テスト時間の短縮: 2つの理由から大幅にテスト時間を短縮することが可能です。

  1. 書き込み/消去時の消費電力が非常に小さいため、テスト時にはメモリマット全体を一度に書き込み/消去することができます。従来の書き込み方式のように小さなセクションを何度も消去してメモリマット全体を書き込み/消去する必要がありません。
  2. 書き込み後のメモリのVt分布は均一のため、書き込みベリファイが不要かつ書き込み動作が一回で完了するため、書き込み時間が短縮されます。

ベーク時間の短縮

フローディア独自のメモリ構造は、メモリセルの寿命予測を簡素化し、スクリーニングのためのベーク時間を短縮することができます。

追加マスク（2～3枚）

G1は、標準CMOSプロセスで2〜3枚の追加マスクしか必要としないため、チップ上に不揮発性メモリ機能を実装するための高価なマスクコストを削減できます。従来のソリューションでは、通常10枚以上の追加マスクが必要とされます。

既存の設計資産の再利用

通常のフラッシュIPと異なり、フローディアのフラッシュIPはロジック・トランジスタのSPICEモデルには影響せず、開発された既存のIP資産を再利用することができます。

トラックレコード

製造状況Item
量産中東芝 130nm, PSMC 90nm
開発完了TSMC 130BCD+
開発中PSMC 80BCD, SMIC 90BCD, UMC 110BCD

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Floadia Corp.

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