LEE Flash ZT

ZT

製品情報

LEE Flash ZT, Zero Additional Mask MTP

LEE Flash ZT（ZT）は車載グレードの温度と品質を達成しています。 特に車載アプリケーション向けのセンサ、電源、アナログICなどのトリミングとパラメータ保存に最適です。また、テスト時間とベーキング時間が非常に短いため、テストコストの低減が可能です。製造時にマスクやプロセスステップを追加する必要はありません。約40nmまでのプロセス・ノードと最大10K回のP/Eサイクルをサポートします。

Major Features

  1. 過酷な自動車環境に対応した高温動作および高いデータ保持特性
  2. 極少消費電力の書き換
  3. テスト時間とベーク時間の短縮によりテストコストを削減可能
  4. 既存の設計資産を再利用するため標準CMOSプロセスに搭載可能
  5. 簡単な実装であるため、追加マスクは不要
Image: LEE Flash ZT, Zero Additional Mask MTP

仕様例

LEE Flash ZT
ItemSpec
Process platform180BCD
Memory Size512 Bytes(4K bits)
P/E Cycles> 100k
Supply VoltageVDD 2.5V~5.5V
Additional Masks0
Operation Temperature(Tj)-40~150℃
Data Retention20years@-40~150℃

高温動作

ZTは、150℃で20年間のデータ保持が可能です。また、車載品質のサポート実績があります。

テスト時間が短縮可能

P/E: FN tunnel current

ZTは、FNトンネル技術により、書き込みおよび消去電流が極めて低く、ホットキャリア注入を使用する従来の技術と比較して、消費電流は1 / 1,000,000です。これにより、テストコストの大部分を占めるテスト時間を短縮できます。

低コスト

テスト時間の短縮: 2つの理由から大幅にテスト時間を短縮することが可能です。

  1. 書き込み/消去時の消費電力が非常に小さいため、テスト時にはメモリマット全体を一度に書き込み/消去することができます。従来の書き込み方式のように小さなセクションを何度も消去してメモリマット全体を書き込み/消去する必要がありません。
  2. 書き込み後のメモリのVt分布は均一のため、書き込みベリファイが不要かつ書き込み動作が一回で完了するため、書き込み時間が短縮されます。

ベーク時間の短縮

フローディア独自のメモリ構造は、メモリセルの寿命予測を簡素化し、スクリーニングのためのベーク時間を短縮することができます。

マスクZero

ZTは、標準的なCMOSプロセスの変更や追加のマスクを必要とせず、チップに不揮発性メモリを実装するためのコスト増加はありません。

フィールドプログラマビリティ

ZTを採用することで、システム製品を出荷時だけでなく既に市場のシステムに組み込まれ稼働中の製品のトリミング値/パラメータ設定を書き換え・調整することができます。

トラックレコード

製造状況Item
量産中国内 複数IDM
開発完了HHGrace 180BCD

製品情報

Floadia Corp.

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