LEE Flash ZA (ZA) 是反熔丝一次可编程非易失性存储器。非常适合調校(trimming)和修复DRAM的内存(memory repair)。在制程过程中不需要追加任何额外的光掩模与工艺步骤。由于可以提供2层到3层布线层，因此可以自由活用上层布线，甚至可以支持最先进的工艺。有关详细规格等，请透过电子邮件表格与我们联系。