公司信息

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企业理念及公司信条

富提亚科技的基本理念是重视挑战精神，藉由全体同仁的智慧和努力，持续不懈地追求人类便利生活所必需的技术，为社会的进步和发展做出贡献。同时，我们将公平、谦虚的态度致力于工作，客户至上为企业经营的出发点，尊重自然，热爱人，每个人身为明智的公民，努力实现真正丰盈的社会。

独创性, 和谐, 真诚

02

公司简介

富提亚科技

2011年4月，7位来自日本瑞萨电子的工程师，创立了日商富提亚科技。这7位工程师在瑞萨电子累积近20年的实务经历，并希望透过此经历开发出有别于市场上更好使用的非挥发性嵌入式闪存。富提亚科技不只拥有专精于内存及周边电路设计的工程师，同时也招揽对于制程及质量保证有相关背景的人才，致力于将高质量、高规格的非挥发性内存IP推广至全世界。

企业名称: 富提亚科技
成立日期: April 25, 2011
地址: 187-0031，东京都小平市小川东町 1-30-9
电话号码: +81-42-346-5510
代表董事: Kosuke Okuyama
交易银行: MUFG Bank, Ltd
业务内容: Development, Consulting, License & Sales of Semiconductor IPs
海外联系: 富提亚科技-台湾分公司

30013 新竹市光复路二段101号，清大创新育成大楼 612 室 (宝山路校门口)

Tel.+886-3-5613922

欧洲/以色列业务负责人

Wim Rijlaarsdam ing.

Tel.+32-468-225-968

美国业务负责人

Elly Chang.

Tel.+886-3-5613922

历史

2023: Series C Funding completed (1,050M￥）
2023: LEE-Flash G1 on TSMC 130BCD+ fully qualified and ready for mass production
2022: Series C Funding completed (1,200M￥）
2021: Auto grade 0 LEE-Flash ZT 180BCD starts mass production
2020: Toshiba starts mass production of LEE-Flash G1 for its MCU
2017: Establish Floadia Taiwan Branch Office for the collaborations with foundries; Series B Funding (1,600M￥）
2015: Series A Funding (800M￥）
2014: LEE-Flash G1 starts mass production for smart phone IC in PSMC
2013: Auto Grade 0 LEE-Flash ZT starts mass production Japanese IDM
2011: Founded Floadia Corp.