LEE Flash G1, Good Cost Performance SONOS Flash

LEE Flash G1

LEE Flash G1(G1)因采取简单的SONOS结构,可以随制程微缩至40nm工艺节点,同时也可达到车规电子的温度及质量要求。G1是一款高经济效益的中等容量闪存。除此之外,即使使用G1, 逻辑晶体管和SPICE模型的特性也不会改变,因此为一般CMOS制程所设计的IP是可以被重复使用的。

Major Features

  1. Supports high temperature and long retention life time for severe automotive requirement
  2. Low power in Program/Erase operation for power critical applications
  3. Requires few (2~3) additional masks
  4. No change to SPICE model of Standard CMOS process, for re-using existing design and IP
  5. Short Test and Bake time to reduce chip cost

High Temperature

G1于125°C的高温下可连续使用20年

Large Programming Size enables Short Testing Time

LEE Flash G1 image

G1因使用FN穿隧技术,在执行写入/抹除动作所消耗的电力非常微小,与一般使用热载子注入来达到写入/抹去动作的技术相比,穿隧技术只需使用其1/1,000,000的电流即可。这样可帮助缩短测试时间,同时也有利降低成本。

Low Cost

Short Test Time: G1 achieves very short test time for two reasons.

  1. G1所需要的测试时间很短,主要有两个原因,其中之一为执行一次写入/抹去所需的电力极小,所以可让测试人员一次便可测试整个内存芯片,不同于传统的嵌入式闪存只能小单位写入/抹去,G2所需的整体测试时间很短。
  2. 另一个原因为G1编程的Vt分布因为很集中,所以可降低多次编程和验证的需求,因此不需要复杂的步骤便可完成编程操作,进而大幅缩短编程的时间。

Short Baking Time

富提亚科技独有的内存结构,可简化预测内存位寿命的过程,这样可缩短晶圆公司筛选晶圆时间。

2-3 Mask adder

G1使用在标准规格的CMOS上时只需要追加2至3片的光罩,可以降低因开发非挥发性嵌入式闪存时所需要的高额光罩成本。若是一般的非挥发性内存的话,通常在先进制程上需追加10片以上的光罩。

Re-use of existing IP asset

与一般的快闪IP不同,富提亚科技的快闪IP因不影响逻辑晶体管及SPIEC模型的架构,所以可以重复利用制程上既有的IP。

Sample Spec

LEE Flash G1
Item Specification
Process platform 180nm 90nm 55nm
supply voltage 1.8V / 2.7V~3.3V / 4.5~5.5V
Extra mask 3
Endurance 100K
Data retention 10 years@125°C
Program / Erase method FN tunneling / FN tunneling
P / E time ~2ms,  6ms
P / E unit (Bytes) 64B/4KB
P / E current ≦2mA
Access time ~50ns
Read current 100uA/MHz

Track Record

  • 90nm:可大量生产
  • 55nm:可生产
  • 130nm・150nm・180nm:开发中