LEE Flash G2, Flash beyond Flash

LEE Flash G2

LEE Flash G2(G2)提供一般嵌入式闪存IP所没有的独特功能,是跨世代创新的快闪IP。G2是在由单纯SONOS架构制成的G1侧面安装开关晶体管的构造。G2维持G1追加光罩所需成本较低的特性,另外因读取时不需高电压,在内存位与逻辑电路之间也不需放置分离区域,有利于电路布局作业。

G2因为拥有非常特殊的VDD架构,快闪位可直接连接逻辑电路。因此可以使SRAM等逻辑组件达到非挥发性的可能,开创非挥发内存的新世代。此外,对于在应用程序等方面需要极大内存容量的客户,G2是一个高经济效益的解决方案。读取时不需高电压,可省去分离区域利于电路布局作业

Major Features

  1. 读写功耗低
  2. 测试与制程时间短,有助于降低成本
  3. 追加光罩最多4至5片
  4. 不会改变标准规格CMOS制程上的SPICE模型,可重复使用现有的设计及IP

Logic Compatibility

LEE Flash G2 image

因为写入及抹除动作的高电压不会被施加于扩散层,所以所有的读取电路都由标准规格的核心晶体管所构成。因此与外围的逻辑电路保持良好的兼容性,如同SRAM一样,可与逻辑电路混合。

High Speed by VDD operation

藉VDD達到高速動作

Large Memory Capacity

大容量記憶體

High Temperature

G2于125 °C的高温下可连续使用20年

Large Programming Size enables Short Testing Time

LEE Flash G2 image

G2因使用FN穿隧技术,在执行写入/抹除动作所消耗的电力非常微小,与一般使用热载子注入来达到写入/抹去动作的技术相比,穿隧技术只需使用其1/1,000,000的电流即可。这样可帮助缩短测试时间,同时也有利降低成本。

Low cost

Short Test Time: G2 achieves very short test time for two reasons.

  1. G2所需要的测试时间很短,主要有两个原因,其中之一为执行一次写入/抹去所需的电力极小,所以可让测试人员一次便可测试整个内存芯片,不同于传统的嵌入式闪存只能小单位写入/抹去,G2所需的整体测试时间很短。
  2. 另一个原因为G2编程的Vt分布因为很集中,所以可降低多次编程和验证的需求,因此不需要复杂的步骤便可完成编程操作,进而大幅缩短编程的时间。

Short Baking Time

富提亚科技独有的内存结构可简化预测内存位寿命的过程,这样可缩短晶圆公司筛选芯片时的时间。

4-5 Mask adder

G2使用在标准规格的CMOS上时只需要追加4至5片的光罩,可以降低因开发非挥发性嵌入式闪存时所需要的高额光罩成本。若是一般的非挥发性内存的话,通常在先进制程上需追加10片以上的光罩。

Re-use of existing IP asset

富提亚科技独有的内存结构可简化预测内存位寿命的过程,这样可缩短晶圆公司筛选芯片时的时间。

Sample Spec

LEE Flash G2
Item Specification
Process platform 90nm 55nm 40nm
supply voltage 1.62V~3.6V
Extra mask 5
Endurance 100K
Data retention 10 years@125°C
Program / Erase method FN tunneling / FN tunneling
P / E time ~2msec / ~10msec
P / E unit (Bytes) 512B / 2kB 1kB / 4kB
P / E current ≦2mA
Access time 10~20ns
Read current ~60uA/MHz

Track Record

  • 90nm:可大量生产
  • 55nm:开发中