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LEE Flash G2
G2
产品信息
LEE Flash G2, Flash beyond Flash
LEE Flash G2（G2）提供一般嵌入式闪存IP所没有的独特功能，是跨世代创新的快闪IP。G2是在由单纯SONOS架构制成的G1侧面安装开关晶体管的构造。G2维持G1追加光罩所需成本较低的特性，另外因读取时不需高电压，在内存位与逻辑电路之间也不需放置分离区域，有利于电路布局作业。
G2因为拥有非常特殊的VDD架构，快闪位可直接连接逻辑电路。因此可以使SRAM等逻辑组件达到非挥发性的可能，开创非挥发内存的新世代。此外，对于在应用程序等方面需要极大内存容量的客户，G2是一个高经济效益的解决方案。读取时不需高电压，可省去分离区域利于电路布局作业
※G2正在开发中
Major Features
- 读写功耗低
- 测试与制程时间短，有助于降低成本
- 追加光罩最多4至5片
- 不会改变标准规格CMOS制程上的SPICE模型，可重复使用现有的设计及IP
规格示例
| Item | Spec |
|---|---|
| Process platform | 55BCD |
| Memory Size | 128K-Byte(1M-bit) |
| P/E Cycles | 100K |
| Supply Voltage | VDD 1.2V±10% |
| VCC 2.5V~5.5V | |
| Additional Masks | 4 |
| Operation Temperature(Tj) | -10~175℃ |
| Data Retention | 10years@175℃ post PE 10K |
Logic Compatibility
因为写入及抹除动作的高电压不会被施加于扩散层，所以所有的读取电路都由标准规格的核心晶体管所构成。因此与外围的逻辑电路保持良好的兼容性，如同SRAM一样，可与逻辑电路混合。
High Speed by VDD operation
藉VDD達到高速動作
Large Memory Capacity
大容量記憶體
Large Programming Size enables Short Testing Time
G2因使用FN穿隧技术，在执行写入/抹除动作所消耗的电力非常微小，与一般使用热载子注入来达到写入/抹去动作的技术相比，穿隧技术只需使用其1/1,000,000的电流即可。这样可帮助缩短测试时间，同时也有利降低成本。
Low cost
Short Test Time: G2 achieves very short test time for two reasons.
- G2所需要的测试时间很短，主要有两个原因，其中之一为执行一次写入/抹去所需的电力极小，所以可让测试人员一次便可测试整个内存芯片，不同于传统的嵌入式闪存只能小单位写入/抹去，G2所需的整体测试时间很短。
- 另一个原因为G2编程的Vt分布因为很集中，所以可降低多次编程和验证的需求，因此不需要复杂的步骤便可完成编程操作，进而大幅缩短编程的时间。
Short Baking Time
富提亚科技独有的内存结构可简化预测内存位寿命的过程，这样可缩短晶圆公司筛选芯片时的时间。
4 Mask adder
G2使用在标准规格的CMOS上时只需要追加4至5片的光罩，可以降低因开发非挥发性嵌入式闪存时所需要的高额光罩成本。若是一般的非挥发性内存的话，通常在先进制程上需追加10片以上的光罩。
Re-use of existing IP asset
富提亚科技独有的内存结构可简化预测内存位寿命的过程，这样可缩短晶圆公司筛选芯片时的时间。
