LEE Flash ZT, Zero Additional Mask MTP

EE Flash ZT

LEE Flash ZT(ZT)具备车规电子要求的耐高温特性。特别适用于汽车的传感器、电源及模拟IC等的参数调整与数据储存。另外,因测试及制程时间短,所以也可达到降低成本的效益。在制程过程中不需要追加任何额外的光罩与制程步骤。ZT可支持约最高40奈米的工艺节点和10K次 P / E周期。

Major Features

  1. 具有在恶劣的汽车环境下可高温动作及保存的特性
  2. 读取动作只需微小电力
  3. 测试与制程时间短,有助于降低成本
  4. 可于标准的CMOS装置搭载既有的设计及IP
  5. 设计简单,不需追加光罩

High Temperature Operation

ZT于125°C的高温下可连续使用20年
ZT在车规电子的应用量产已有相当好的评价

Large Program Size enables Short Testing Time

EE Flash ZT image

ZT因使用FN穿隧技术,在执行写入/抹除动作所消耗的电力非常微小,与一般使用热载子注入来达到写入/抹去动作的技术相比,穿隧技术只需使用其1/1,000,000的电流即可。这样可帮助缩短测试时间,同时也有利降低成本。

Low Cost

Short Baking Time

富提亚科技独有的内存结构可简化预测内存位寿命的过程,这样可缩短晶圆公司筛选芯片时的时间。

Zero Mask

因为当ZT使用在标准规格CMOS上时不需要额外变更或追加光罩,所以不会增加成本。

Field Programmability

富提亚科技的ZT可以让客户在交付产品时,或甚至在产品已在运作时,对NVM进行编程,以便微调或参数设定。

Sample Spec

LEE Flash ZT
Item Specification
Process platform 350nm 180nm 130nm
supply voltage 2.7V~3.6V
Extra mask 0
Endurance ≦10K
Data retention 20 years@125°C
Program / Erase method FN tunneling / FN tunneling
P / E time 20ms
P / E unit (bits) 128b/2Kb 256b/1Kb 256b/8Kb
P / E current ≦0.5mA
Access time 100ns
Read current 100uA/MHz

Track Record

  • Production at 350nm:量产中
  • Qualified at Japanese IDM 130nm:已获日本国内IDM认证
  • Under evaluation at foundries from 40nm to 180nm:代工厂评估中