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日商富提亚科技与力晶科技合作量产G1 eFlash IP累计出货超过30,000片

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富提亚科技的LEE嵌入式闪存G1是低功耗(Low-power)及低成本(cost Effective)的Embedded flash,在SoC及物联网充分地展现其优势

2018年9月25日,东京 –

 

嵌入式闪存的领导厂商富提亚科技与晶圆代工的领导厂商力晶科技 (Powerchip (PTC), TWSE: 5346) 在今日宣布已有3个SoC客户采用了富提亚科技的LEE Flash G1(嵌入式闪存IP),除此之外,在PTC 90nm(12英吋)工艺节点上所量产的晶圆已超过30,000片。

富提亚表示,G1 IP在以下两种市场上占有优势:

  • SoC及物联网方面,G1可达到良好成本效益并拥有卓越的可靠性,其可在85度的环境下保存数据的完整性至20年。
  • 工业及汽车电子方面,也可达到一定的成本效益,且同时拥有高可靠性,在150度的高温环境下保存数据的完整性至20年。

以上不管是哪种应用,皆可确保数据重复读写次数达10万次。

在内建嵌入式闪存(eFlash)控制器快速成长的影响下,不管是银行卡、安全芯片,或是物联网相关的计算设备及各种SoC装置,皆需要具有成本效益及高信赖度的嵌入式闪存IP。

「富提亚的G1是架构在一层氧化层上的嵌入式闪存技术,这是一种非常具有成本效益且扎实的构造,且这样的技术在日本IDM厂被广泛运用在车规的微控制器(MCU)上已超过20余年」富提亚的CEO奥山幸佑先生说到。「力晶科技在90nm平台的技术是十分领先的,且一直以来都是很好的合作伙伴。我们很高兴能与几位客户合作,其中有3位已经到了量产的阶段。我们期待能与力晶科技经营长久的合作关系,并开发更多90nm 嵌入式闪存平台的潜在客户」。

G1架构于氧化层(ONO)的储存晶体管上,因使用穿隧效应(FN)来执行编程及抹去的动作,所以在读取上达到了低功耗的益处。除此之外,G1只需追加极少的光罩,测试时间与制程时间也可大幅缩短,因此可为客户省去不必要的成本。而G1其中最显著的特色就是只需极短的时间便可开发完成,制程开发只需15个月左右且产出的良率高达99%。

关于富提亚科技

富提亚科技成立于2011年,由一群曾在日立及瑞萨开发嵌入式非挥发性内存长达20多年的资深工程师所组成。富提亚授权的知识产权包含制造工艺及电路设计。富提亚科技的开发团队不只有电路设计工程师,也包含对制造工艺有专业知识的工程师。截至目前为止,富提亚拥有超过180项专利,其中包含已申请及正在申请的。

关于力晶科技

力晶于1994年12月创立于新竹科学园区,现为国内外各大半导体业者提供专业晶圆代工服务,拥有4,800位员工,资本额新台币222亿元。