嵌入式闪存硅智财领导厂商富提亚科技 12亿日圆增资达标

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日商富提亚科技有限公司(总部位于东京都小平市,社长为奥山幸佑,以下简称「富提亚」),完成C轮的增资成功募得近12亿日圆的资金。除了扩大既有的嵌入式闪存硅智财事业体之外,富提亚更计划将此笔资金运用在边缘运算中的AI算法等崭新领域,并力求开发出每单位功耗下产生最高演算能力的半导体元件。

 

此次的增资中,第一阶段以帝人集团为首,与东京威力科创集团旗下的子公司TEL Venture Capital Inc.,通过第三方配股的方式合计增资5.3亿日圆。第二阶段则由Miyako capital、Marubeni ventures、NEC Capital Solutions Limited及IDATEN Ventures等公司,合计增资5.1亿日圆(第三方配股)。除此之外,日本政策金融公库也进行了1.8亿日圆的融资。

 

富提亚是由出身于日本瑞萨电子的资深工程师,于2011年所创立的公司。其业务为透过授予半导体芯片设计商硅智财(IP)的方式,提供使用于微型计算器、电源管理芯片、传感器等芯片的非挥发性嵌入式闪存(断电后也保有储存功能),所需的元件与电路设计。相较于其他公司,富提亚的专业技术,能使非挥发性嵌入式闪存只需使用其1/1,000,000的电流就可执行写入/抹除动作[1],并有优异的耐热性,更可降低约1/3芯片所需的额外成本。富提亚的嵌入式闪存因为拥有上述优异的特性,除了已被运用在车规的微处理器之外,东芝(TOSHIBA)也在自家的微处理器上采用此装置。除此之外,台湾的晶圆代工厂也在其制造的智能型手机芯片中使用其嵌入式闪存。

 

富提亚的非挥发闪存硅智财可建置在既有的制程上,不影响既有的制程元件及既有的硅智财便能完成开发。随着5G的智能手机、智能手表及无线耳机等各种IoT装置的发展,缩小电路面积及降低功耗变得越来越关键。在这样的情况下,各家厂商开始尝试将数字电路与模拟电路搭载在同一片芯片上。富提亚与主要的晶圆代工厂合作,预计在2021年年初在130nm BCD plus(Bipolar・CMOS・DMOS)的平台上,量产其非挥发性闪存的硅智财。

 

富提亚除了将此次募得的资金利用于既有的非挥发性闪存技术上,更会加速开发出比原先耗电量更低且能够执行高阶AI算法的半导体元件。

 

现在的高阶AI演算,主要是由像数据中心等大规模的云端服务器在运算,但由云端执行的AI演算通常会有耗电量大及隐私安全等疑虑。另一方面,自动驾驶汽车及无人机等需要时时运算的机器,就无法仰赖云端作运算,而是必须要在边缘侧执行AI的演算。若富提亚成功的将非挥发性闪存技术运用在半导体元件上的话,就可以大幅降低AI演算时的耗电量,这样便可将现行必须仰赖云端的AI演算,转而在边缘侧进行运算。

 

截至目前为止,富提亚已与INCJ、晶圆代工大厂UMC旗下的UMC Capital(台湾)及半导体产业的领导设计公司Faraday Technology(台湾)等公司合作并成功募得约24亿日圆的资金。此次募资的累计金额总计约36亿日圆。

 

[1] 富提亚的非挥发性闪存因使用穿隧技术,所以可使用极低的电力达到写入/抹去的动作。与一般的技术相比,只需使用其1/1,000,000的电流即可。