日本东京的富提亚科技有限公司(Floadia Corporation, 以下简称「富提亚科技」)为嵌入式闪存硅智财领导厂商，于2021年11月15日宣布其高质量嵌入式非易失性存储器（eNVM, embedded Non-volatile Memory），产品名称为“ZT” ，可耐受150°C并保存数据10年，现可在上海华虹宏力半导体制造有限公司（HHGrace）180BCD（Z8）平台上提供客户使用。

富提亚科技的ZT完全兼容标准逻辑和双极-互补金属氧化半导体-双重扩散金属氧化半导体工艺（Bipolar-CMOS-DMOS , “BCD”)，无需任何额外的光掩模和工艺步骤。ZT实现150℃10年高可靠性数据保存，循环次数高达10万次。ZT使用FN隧道方法来实现低功耗的编写和擦除。

富提亚科技的ZT已被多家日本 IDM厂广泛采用，并用于各种汽车应用，包括传动系统、压力传感器、电机驱动器和发动机控制系统芯片。富提亚科技此次于上海华虹宏力半导体制造有限公司180BCD (Z8) 平台上新推出的ZT硅智财为 4kbit ，非常适合汽车和工业用途，以支持该领域的微调、校准和频繁的 ID 更新需求。 ZT已获一家中国本土汽车芯片制造商采用，并计划于2022年量产。

关于富提亚科技

富提亚科技成立于2011年，由一群曾在日立及瑞萨开发嵌入式非挥发性内存长达20多年的资深工程师所组成。富提亚授权的知识产权包括嵌入式存储器生产所必需的制造工艺和电路设计。富提亚科技的开发团队不只有电路设计工程师，也包含对制造工艺有专业知识的工程师。截至目前为止，富提亚拥有超过200项专利，其中包含已申请及正在申请的。