日本东京的富提亚科技有限公司（Floadia Corporation, 以下简称「富提亚科技」）为嵌入式闪存硅智财领导厂商，于2022年10月31日宣布其高质量多次可编程嵌入式非易失性存储器（embedded non-volatile Multi-Time Programmable memory IP, 简称MTP）硅智財现可用于 55nm工艺平台，产品名称为“ZT”，数据可在85°C下保存10年。

传统上没有额外光掩模的MTP硅智財与标准逻辑工艺完全兼容。一般来说，这种MTP只能用于氧化层厚度大于100 Angstroms的工艺节点。然而，随着工艺演进氧化层厚度越來越薄，这种传统没有额外光掩模的MTP在可靠性方面面临極大的挑战。因此随着工艺节点发展至 55nm及其以下的工艺，MTP的开发变得非常困难。尽管存在这些困难，但小容量MTP对许多终端应用而言仍然有其不可或缺的需求，因此這些終端应用被迫使用通常需要10 多个额外光掩模的闪存硅智財，从而提高了整体芯片成本。透过采用特殊的layout布局和设计技术，富提亚科技的ZT在10,000次编写和擦除周期后可实现在85°C下保存数据10年，同時无需添加任何额外的光掩模，目前在一家总部位于中国的主要晶圆代工厂之55nm工艺平台可提供客户设计使用。

富提亚科技的ZT已被日本数家 IDM和晶圆代工厂采用，特別是用于各种汽车应用，包括传动系统、压力传感器、电机驱动器和发动机控制系统芯片。富提亚科技此次新推出55nm工艺平台上的ZT硅智财容量为1kbit，非常适合消费类应用来替代外挂的单颗独立式EEPROM。透过采用 ZT 硅智财代替外挂的单颗独立式 EEPROM，可以提高芯片集成度，降低BOM成本和PCB面积，以达成缩小终端产品的尺寸。同时ZT使用FN隧道技术(FN tunneling)来实现低功耗的编写和擦除。ZT已被一家中国智能照明产品的芯片制造商采用，该产品计划于2023年上市。

关于富提亚科技

富提亚科技成立于2011年，由一群曾在日立及瑞萨开发嵌入式非挥发性内存长达20多年的资深工程师所组成。富提亚授权的知识产权包括嵌入式存储器生产所必需的制造工艺和电路设计。富提亚科技的开发团队不只有电路设计工程师，也包含对制造工艺有专业知识的工程师。截至目前为止，富提亚拥有超过200项专利，其中包含已申请及正在申请的。