富提亚科技在台积电130BCD+工艺上完成eFlash IP可靠度验证，并达成200°C高温下资料保存10年的可靠度标准

富提亚科技有限公司（总部位于日本东京，以下简称「富提亚科技」）是eFlash IP(嵌入式闪存硅智财)的开发商，已完成 eFlash IP (产品名称为G1)在台积电130BCD+工艺上的可靠度验证。经过1万次编程和擦除操作后，G1通过了125°C资料保存10年的可靠度标准。在200°C的高温下进行同样的测试，G1仍可以保存资料10年，是目前达成最高温可靠度的eFlash IP。

BCD工艺是可以同时在单个芯片上集成双极型、CMOS 和 DMOS的一种工艺技术。BCD工艺是实现“智能电源管理 IC”不可或缺的技术，也使其需求量日益增加。智能电源管理 IC为处理高电压和大电流的电源管理 IC与MCU（微控制器）集成在单块芯片上。为了在MCU中储存程式和各种参数，在BCD工艺上开发非易失性內存矽智财，特别是eFlash IP的需求正在增加。

“热电子注入浮栅”MTP因为它几乎不需要额外的工艺步骤，过去被认为是BCD工艺上最容易开发的多次性非易失性內存。然而这种类型的 MTP 存在因应力诱发漏电流 (SILC, Stress Induce Leakage Current)导致数据保留不佳的风险，而未能正确读取数据可能导致重大质量故障。 因此，MTP供应商通常采用电路设计方式试图降低风险，但此举会大幅增加MTP矽智财面积，且增加IC的成本，或者导致IC面积太大而无法被系统商采用。

富提亚科技的G1是SONOS结构的內存，它使用 Fowler-Nordheim (FN) 隧道进行编程和擦除操作。这提供了以下优势：(1)重写期间的低功耗 (2) IP面积小 (3)由于没有SILC现象，数据保留率高(4)只需要三个额外的光掩模(5)测试时间短。 此外，G1 额外工艺的热预算不会影响现有的BCD工艺，为此晶圆代工厂的PDK和SPICE model不用因搭载G1而变更。因此，芯片公司可以沿用既有的IP资产，从而缩短IC开发时间。

G1 适用于无线充电器 IC、USB Type C电源 IC、电机驱动 IC 和可编程混合信号 IC。一些汽车电子控制单元应用已经采用G1，由多个分立元件集成一个芯片进而减少60%的PCB面积和80%的重量。

富提亚科技总裁奧山幸佑表示：“公司于2011年成立后不久，我们的 G1 即被用于多款智能手机 IC再延伸到汽车芯片应用，同时扩展至数家晶圆代工厂和IDM厂。G1在TSMC 130BCD+工艺上完成可靠度验证将促进人们期待已久的智能电源管理IC的集成”。

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关于富提亚科技

富提亚科技成立于2011年，由一群曾在日立及瑞萨开发嵌入式非挥发性内存长达20多年的资深工程师所组成。我们透过授予半导体芯片设计商硅智财（IP）的方式，提供使用于微型计算器、电源管理芯片、传感器等芯片的嵌入式非挥发性闪存（断电后也保有储存功能）所需的工艺与电路设计。与其他竞争性内存技术相比，我们的非易失性内存技术仅消耗编程和擦除数据所需功率的 1/1,000,000，具有出色的耐热性，并且仅需要1/3的额外成本即可集成到芯片中。这些特性已经促使一家日本半导体制造商将其用于汽车微控制器，它也被台湾一家晶圆代工厂采用，作为代工厂制造的智能手机组件中的嵌入式闪存。