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LEE Flash G1
G1
产品信息
LEE Flash G1,best fit eFlash to BCD process
LEE Flash G1（G1）因采取简单的SONOS结构，可以随制程微缩至40nm工艺节点，同时也可达到车规电子的温度及质量要求。G1是一款高经济效益的中等容量闪存。除此之外，即使使用G1, 逻辑晶体管和SPICE模型的特性也不会改变，因此为一般CMOS制程所设计的IP是可以被重复使用的
Major Features
- 读写功耗低
- 追加光罩最多2至3片
- 不会改变标准规格CMOS制程上的SPICE模型，可重复使用现有的设计及IP
- 测试与制程时间短，有助于降低成本
规格示例
| Item | Spec |
|---|---|
| Process platform | 130BCD |
| Memory Size | 64 Kbyte |
| Data Bus(Main) | 32 I/O |
| P/E Cycles | 100k |
| Supply Voltage | VDD 1.5V±10% |
| VCC 2.5V~5.5V | |
| Additional Masks | 2~3 |
| Operation Temperature(Tj) | -40~175℃ |
| Data Retention | 10years@175℃ post PE 10K |
High Temperature Operation
G1 数据保留特性高达 @200°C 确认超过 10 年
Large Programming Size enables Short Testing Time
G1因使用FN穿隧技术，在执行写入/抹除动作所消耗的电力非常微小，与一般使用热载子注入来达到写入/抹去动作的技术相比，穿隧技术只需使用其1/1,000,000的电流即可。这样可帮助缩短测试时间，同时也有利降低成本。
Low Cost
Short Test Time: G1 achieves very short test time for two reasons.
- G1所需要的测试时间很短，主要有两个原因，其中之一为执行一次写入/抹去所需的电力极小，所以可让测试人员一次便可测试整个内存芯片，不同于传统的嵌入式闪存只能小单位写入/抹去，G2所需的整体测试时间很短。
- 另一个原因为G1编程的Vt分布因为很集中，所以可降低多次编程和验证的需求，因此不需要复杂的步骤便可完成编程操作，进而大幅缩短编程的时间。
Short Baking Time
富提亚科技独有的内存结构,可简化预测内存位寿命的过程，这样可缩短晶圆公司筛选晶圆时间。
2-3 Mask adder
G1使用在标准规格的CMOS上时只需要追加2至3片的光罩，可以降低因开发非挥发性嵌入式闪存时所需要的高额光罩成本。若是一般的非挥发性内存的话，通常在先进制程上需追加10片以上的光罩。
Re-use of existing IP asset
与一般的快闪IP不同，富提亚科技的快闪IP因不影响逻辑晶体管及SPIEC模型的架构，所以可以重复利用制程上既有的IP。
Track Record
| Manufacturing status | Item |
|---|---|
| Mass Production | 130nm, PSMC 90nm |
| Available on | TSMC 130BCD+ |
| Under development | PSMC 80BCD, SMIC 90BCD, UMC 110BCD |
