LEE Flash ZT

ZT

产品信息

LEE Flash ZT, Zero Additional Mask MTP

LEE Flash ZT（ZT）具备车规电子要求的耐高温特性。特别适用于汽车的传感器、电源及模拟IC等的参数调整与数据储存。另外，因测试及制程时间短，所以也可达到降低成本的效益。在制程过程中不需要追加任何额外的光罩与制程步骤。ZT可支持约最高40奈米的工艺节点和10K次 P / E周期。

Major Features

  1. 具有在恶劣的汽车环境下可高温动作及保存的特性
  2. 读取动作只需微小电力
  3. 测试与制程时间短，有助于降低成本
  4. 可于标准的CMOS装置搭载既有的设计及IP
  5. 设计简单，不需追加光罩
Image: LEE Flash ZT, Zero Additional Mask MTP

规格示例

LEE Flash ZT
ItemSpec
Process platform180BCD
Memory Size512 Bytes(4K bits)
P/E Cycles> 100k
Supply VoltageVDD 2.5V~5.5V
Additional Masks0
Operation Temperature(Tj)-40~150℃
Data Retention20years@-40~150℃

High Temperature Operation

ZT于125°C的高温下可连续使用20年。ZT在车规电子的应用量产已有相当好的评价

Large Program Size enables Short Testing Time

P/E: FN tunnel current

ZT因使用FN穿隧技术，在执行写入/抹除动作所消耗的电力非常微小，与一般使用热载子注入来达到写入/抹去动作的技术相比，穿隧技术只需使用其1/1,000,000的电流即可。这样可帮助缩短测试时间，同时也有利降低成本。

Low Cost

Short Baking Time

富提亚科技独有的内存结构可简化预测内存位寿命的过程，这样可缩短晶圆公司筛选芯片时的时间。

Zero Mask

因为当ZT使用在标准规格CMOS上时不需要额外变更或追加光罩，所以不会增加成本。

Field Programmability

富提亚科技的ZT可以让客户在交付产品时，或甚至在产品已在运作时，对NVM进行编程，以便微调或参数设定。

Track Record

Manufacturing statusItem
Mass Productionin several Japanese IDM
Available onHHGrace 180BCD

产品信息

Floadia Corp.

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