Technology

富提亚科技的G1G2采用SONOS结构,与其他公司采用的分裂闸极式闪存结构相比,具有相当多的优势。

The Beauty of SONOS

富提亚科技的G1和G2使用SONOS存储器架构,与坊间被广泛使用的分裂闸极式快闪记忆结构相比,具有以下优势。

High in Reliability

High in Reliability

SONOS型闪存储存电荷的方式与一般浮动式闸极内存有所差异。
SONOS结构因可使电子稳定储存于氮化硅层中,故可降低在执行写入/抹除动作时因氧化层缺陷所导致的漏电现象。
富提亚科技的SONOS技术在写入/抹除动作的部分采用穿隧现象。内存在数据重写时电流会增加,故一般载子的耐久性会受限于氧化层的缺陷,但穿隧现象所需的电流非常微小(pA等级),因此数据重写时对于氧化层的损害相对来说十分轻微。

Vt distribution data

Vt distribution data

使用穿隧电流的SONOS型内存的特征为内存位的电位分布非常紧密且稳定。因此,在执行写入/抹去动作时,除了确认电位的分布外,同时也反复执行写入/抹除的作业,藉此省去验证编程的循环,进而缩短测试的时间。即便在执行10万次写入/抹除的动作之后,内存也不会有劣化的现象。
另外,电子与电洞因均匀地被注入于内存组件内,使得氧化层的质量可维持在一定的水平。

Easy to Manufacture

SONOS Cell

穿隧效应被视为是最符合电子储存系统(Charge Trap System)的方式。因为即使在制程上有缺陷,亦或是电场微弱时,电荷(电子/电洞)仍可被储存于氮化硅层中。此外,因为组件内电子产生穿隧,故电子与电洞可被均匀注入,电场也可达到均匀分布的状态。

Large Programming Size enables Short Testing Time

FN tunneling

富提亚科技的SONOS型内存因使用穿隧技术,所以可以使用极低的电力就可达到写入/抹去的动作。
与一般使用热载子注入来达到写入/抹去动作的技术相比,穿隧技术只需使用其1/1,000,000的电流即可。
因1个内存位所需的电流十分微小,故可于大范围内一同被写入。由此可达到缩短测试时间的成效,并可降低成本。 

High Speed Non Volatile SRAM

富提亚科技的G2使用VDD支持「读取」动作,这是富提亚科技独有的技术。
一般的嵌入式非挥发内存通常在执行写入/抹除/读写的动作时,需要一定的高电压;但G2单位的高电压供给只限于内存闸极而已,电源电路通常被设置在内存区块的外部。通常将高电压区域从内存区块移除后,可将储存单位及逻辑电路相邻配置,不用另设隔离区域。将G2与SRAM相邻配置后,这个新种类的结合单位可视为非挥发性SRAM来使用。富提亚科技利用G2此独特的机能,在新世代中提供各式各样的应用程序。

Marriage of Logic and Flash

Marriage of Logic and Flash

G2单元是由一个SONOS晶体管和靠近其两侧布置的两个开关晶体管组成的三闸极型晶体管;这两个开关晶体管使用一般逻辑电压,只有SONOS晶体管的闸极需要高电压。由于与浮动闸极的设计相比,每个单元的写入电流非常小,为1 / 1,000,000,所以SONOS存储器闸极的布线就像信号线一样处理即可。

Non Volatile SRAM

NV-RAM image

快速非挥发性随机存取内存(NV-SRAM)有望彻底改变MCU,SOC和FPGA架构设计。通过将两个G2单元和一个六晶体管类型SRAM单元直接组合,富提亚科技提供了一种非常实用且新颖的解决方案。RAM功能由NV-SRAM的SRAM部分实现,存储在SRAM中的数据在关闭电源/关机时传送到G2单元,存储在G2单元中的数据在开启电源时重新传送到SRAM。这款新型NV-SRAM以非常简单的方式实现高速NV-SRAM功能,无需使用任何新材料。

MCU with NV-SRAM

MCU with NV-RAM image

高速NV-SRAM为MCU的内存架构带来技术的创新。例如: 不再需要专用的闪存区和接口电路,并且可以减少闪存区的额外传输时间等。采用这种新架构,可以非常精细地将MCU系统置于睡眠模式,并在打开电源后立即启动系统来控制功耗。 

Quality

Design Quality Management

为提高非挥发性内存IP的设计质量,必须高度要求其装置结构、电路设计和layout设计。富提亚科技为维持所有产品的设计质量都符合质量手册的标准,设计作业皆依循手册内定义的标准IP设计准则。为了确认和提高每个IP的质量水平,包括相关的技术专家在内,每一个阶段的设计都会确实执行设计审查。

Stretch for Higher Level Reliability

电子组件是民生设备、通信设备、个人计算机和外围设备、游戏机、医疗设备、工业机械,汽车和物联网终端等各类系统的重要组成要件。随着使用嵌入式非挥发闪存的电子设备的应用越趋多样化,在车规电子方面的质量要求也逐渐升高。富提亚科技持续挑战,致力于开发出能在严酷环境下也可使用的嵌入式非挥发内存。
非挥发性内存的主要信赖度来自于写入/抹除的次数限制和数据保留年限的特性。富提亚科技会根据客户的质量要求进行质量评估,并提供符合客户要求的产品。

Targeting zero defect in Mass Production

大部分在初期发生的故障,都是由于制造过程中的缺陷所引起的。为了筛选这些缺陷,必须采用适当的筛选程序。富提亚科技优化了每种特定组件架构和电路设计的测试规范,并提供了适当的筛选技术。