產品資訊

01

產品特色

  • Meets AEC Q100, Grade 0 criteria
  • Fully CMOS process compatible
    • No impact on the existing devices and SPICE model
    • All IP assets can be reused because the same PDK is applied
  • Low cost
    • 額外光罩數量 0
    • 測試成本低
02

技術

The Advantage of SONOS

富提亞科技的G1和G2採用SONOS結構,與其他公司採用的分裂閘極式快閃記憶體結構相比,具有相當多的優勢。

High Reliability

SONOS型快閃記憶體儲存電荷的方式與一般浮動式閘極記憶體有所差異。
SONOS結構因可使電子穩定儲存於氮化矽層中,故可降低在執行寫入/抹除動作時因氧化層缺陷所導致的漏電現象。富提亞科技的SONOS技術在寫入/抹除動作的部分採用穿隧現象。記憶體在資料重寫時電流會增加,故一般載子的耐久性會受限於氧化層的缺陷,但穿隧現象所需的電流非常微小(pA等級),因此資料重寫時對於氧化層的損害相對來說十分輕微。

High reliability – Stable Vt

使用穿隧電流的SONOS型記憶體的特徵為記憶體位元的電位分布非常緊密且穩定。
因此,在執行寫入/抹去動作時,除了確認電位的分布外,同時也反覆執行寫入/抹除的作業,藉此省去驗證編程的循環,進而縮短測試的時間。即便在執行10萬次寫入/抹除的動作之後,記憶體也不會有劣化的現象。另外,電子與電洞因均勻地被注入於記憶體元件內,使得氧化層的品質可維持在一定的水平。

Easy to Manufacture

穿隧效應被視為是最符合電子儲存系統(Charge Trap System)的方式。
因為即使在製程上有缺陷,亦或是電場微弱時,電荷(電子/電洞)仍可被儲存於氮化矽層中。
此外,因為元件內電子產生穿隧,故電子與電洞可被均勻注入,電場也可達到均勻分布的狀態。

Large Programming Size enables Short Testing Time

富提亞科技的SONOS型記憶體因使用穿隧技術,所以可以使用極低的電力就可達到寫入/抹去的動作。
與一般使用熱載子注入來達到寫入/抹去動作的技術相比,穿隧技術只需使用其1/1,000,000的電流即可。
因1個記憶體位元所需的電流十分微小,故可於大範圍內一同被寫入。由此可達到縮短測試時間的成效,並可降低成本。

High Speed Non Volatile SRAM

富提亞科技的G2使用VDD支援「讀取」動作,這是富提亞科技獨有的技術。
一般的嵌入式非揮發記憶體通常在執行寫入/抹除/讀寫的動作時,需要一定的高電壓;但G2單位的高電壓供給只限於記憶體閘極而已,電源電路通常被設置在記憶體區塊的外部。通常將高電壓區域從記憶體區塊移除後,可將儲存單位及邏輯電路相鄰配置,不用另設隔離區域。將G2與SRAM相鄰配置後,這個新種類的結合單位可視為非揮發性SRAM來使用。富提亞科技利用G2此獨特的機能,在新世代中提供各式各樣的應用程式。

Marriage of Logic and Flash

G2單元是由一個SONOS電晶體和靠近其兩側佈置的兩個開關電晶體組成的三閘極型電晶體;這兩個開關電晶體使用一般邏輯電壓,只有SONOS電晶體的閘極需要高電壓。由於與浮動閘極的設計相比,每個單元的寫入電流非常小,為1 / 1,000,000,所以SONOS存儲器閘極的佈線就像信號線一樣處理即可。

Non Volatile SRAM

快速非揮發性隨機存取記憶體(NV-SRAM)有望徹底改變MCU,SOC和FPGA架構設計。通過將兩個G2單元和一個六電晶體類型SRAM單元直接組合,富提亞科技提供了一種非常實用且新穎的解決方案。RAM功能由NV-SRAM的SRAM部分實現,存儲在SRAM中的數據在關閉電源/關機時傳送到G2單元,存儲在G2單元中的數據在開啟電源時重新傳送到SRAM。這款新型NV-SRAM以非常簡單的方式實現高速NV-SRAM功能,無需使用任何新材料。

MCU with NV-SRAM

高速NV-SRAM為MCU的記憶體架構帶來技術的創新。例如: 不再需要專用的閃存區和介面電路,並且可以減少閃存區的額外傳輸時間等。採用這種新架構,可以非常精細地將MCU系統置於睡眠模式,並在打開電源後立即啟動系統來控制功耗。

Floadia Corp.

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