公司資訊

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企業理念及公司信條

富提亞科技的基本理念是重視挑戰精神，藉由全體同仁的智慧和努力，持續不懈地追求人類便利生活所必需的技術，為社會的進步和發展做出貢獻。同時，我們以公平、謙虛的態度致力於工作，客戶至上是企業經營的出發點，尊重自然，熱愛人，每個人身為明智的公民，努力實現真正豐盈的社會。

獨創性, 和諧, 真誠

02

公司簡介

富提亞科技

於2011年，7名工程師為了向世界提供最好的非揮發性記憶體技術，離開了瑞薩電子，並共同創立了富提亞科技。
富提亞科技授權其嵌入式存儲器的知識產權（IP）給需要的公司，包括製造工藝和電路設計。富提亞科技是一支經驗豐富的工程師團隊，製作嵌入式記憶體的經歷長達20年。富提亞科技不只擁有電路設計工程師及記憶體工程師，同時也擁有對製造工藝和質量保證有深入了解的人員，以便提供全方位的服務。

企業名稱: 富提亞科技
成立日期: April 25, 2011
地址: 187-0031, 東京都小平市小川東町 1-30-9
電話號碼: +81-42-346-5510
代表董事: Kosuke Okuyama
交易銀行: MUFG Bank, Ltd
業務內容: Development, Consulting, License & Sales of Semiconductor IPs
海外聯繫: 富提亞科技-台灣分公司

R612/ R618, Center of Innovative Incubator, NTHU No. 101, Section 2, Guangfu Road, Hsinchu, Taiwan 30013, R.O.C.

Tel.+886-3-5613922

歐洲/以色列業務負責人

Wim Rijlaarsdam ing.

Tel.+32-468-225-968

美國業務負責人

Elly Chang.

Tel.+886-3-5613922

歷史

2023: Series C Funding completed (1,050M￥）
2023: LEE-Flash G1 on TSMC 130BCD+ fully qualified and ready for mass production
2022: Series C Funding completed (1,200M￥）
2021: Auto grade 0 LEE-Flash ZT 180BCD starts mass production
2020: Toshiba starts mass production of LEE-Flash G1 for its MCU
2017: Establish Floadia Taiwan Branch Office for the collaborations with foundries; Series B Funding (1,600M￥）
2015: Series A Funding (800M￥）
2014: LEE-Flash G1 starts mass production for smart phone IC in PSMC
2013: Auto Grade 0 LEE-Flash ZT starts mass production Japanese IDM
2011: Founded Floadia Corp.