• Meets AEC Q100, Grade 0 criteria
• Fully CMOS process compatible
  • No impact on the existing devices and SPICE model
  • All IP assets can be reused because the same PDK is applied
• Low cost
  • 額外光罩數量 0
  • 測試成本低

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  LEE Flash G1
  Low Cost SONOS FLASH

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  LEE Flash G2
  Flash beyond Flash

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  LEE Flash ZT
  Zero Additional Mask MTP

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  LEE Fuse ZA
  Zero Additional Mask Anti-fuse OTP

The Advantage of SONOS

富提亞科技的G1和G2採用SONOS結構，與其他公司採用的分裂閘極式快閃記憶體結構相比，具有相當多的優勢。

High Reliability

SONOS型快閃記憶體儲存電荷的方式與一般浮動式閘極記憶體有所差異。
SONOS結構因可使電子穩定儲存於氮化矽層中，故可降低在執行寫入/抹除動作時因氧化層缺陷所導致的漏電現象。富提亞科技的SONOS技術在寫入/抹除動作的部分採用穿隧現象。記憶體在資料重寫時電流會增加，故一般載子的耐久性會受限於氧化層的缺陷，但穿隧現象所需的電流非常微小(pA等級)，因此資料重寫時對於氧化層的損害相對來說十分輕微。

Easy to Manufacture

穿隧效應被視為是最符合電子儲存系統(Charge Trap System)的方式。
因為即使在製程上有缺陷，亦或是電場微弱時，電荷(電子/電洞)仍可被儲存於氮化矽層中。
此外，因為元件內電子產生穿隧，故電子與電洞可被均勻注入，電場也可達到均勻分布的狀態。

Large Programming Size enables Short Testing Time

富提亞科技的SONOS型記憶體因使用穿隧技術，所以可以使用極低的電力就可達到寫入/抹去的動作。
與一般使用熱載子注入來達到寫入/抹去動作的技術相比，穿隧技術只需使用其1/1,000,000的電流即可。
因1個記憶體位元所需的電流十分微小，故可於大範圍內一同被寫入。由此可達到縮短測試時間的成效，並可降低成本。

High Speed Non Volatile SRAM

富提亞科技的G2使用VDD支援「讀取」動作，這是富提亞科技獨有的技術。
一般的嵌入式非揮發記憶體通常在執行寫入/抹除/讀寫的動作時，需要一定的高電壓；但G2單位的高電壓供給只限於記憶體閘極而已，電源電路通常被設置在記憶體區塊的外部。通常將高電壓區域從記憶體區塊移除後，可將儲存單位及邏輯電路相鄰配置，不用另設隔離區域。將G2與SRAM相鄰配置後，這個新種類的結合單位可視為非揮發性SRAM來使用。富提亞科技利用G2此獨特的機能，在新世代中提供各式各樣的應用程式。

Marriage of Logic and Flash

G2單元是由一個SONOS電晶體和靠近其兩側佈置的兩個開關電晶體組成的三閘極型電晶體；這兩個開關電晶體使用一般邏輯電壓，只有SONOS電晶體的閘極需要高電壓。由於與浮動閘極的設計相比，每個單元的寫入電流非常小，為1 / 1,000,000，所以SONOS存儲器閘極的佈線就像信號線一樣處理即可。

Non Volatile SRAM

快速非揮發性隨機存取記憶體（NV-SRAM）有望徹底改變MCU，SOC和FPGA架構設計。通過將兩個G2單元和一個六電晶體類型SRAM單元直接組合，富提亞科技提供了一種非常實用且新穎的解決方案。RAM功能由NV-SRAM的SRAM部分實現，存儲在SRAM中的數據在關閉電源/關機時傳送到G2單元，存儲在G2單元中的數據在開啟電源時重新傳送到SRAM。這款新型NV-SRAM以非常簡單的方式實現高速NV-SRAM功能，無需使用任何新材料。

MCU with NV-SRAM

高速NV-SRAM為MCU的記憶體架構帶來技術的創新。例如: 不再需要專用的閃存區和介面電路，並且可以減少閃存區的額外傳輸時間等。採用這種新架構，可以非常精細地將MCU系統置於睡眠模式，並在打開電源後立即啟動系統來控制功耗。