LEE Flash G1, best fit eflash to BCD process

LEE Flash G1

LEE Flash G1(G1)因採取簡單的SONOS結構,可以隨製程微縮至40nm工藝節點,同時也可達到車規電子的溫度及品質要求。G1是一款高經濟效益的中等容量快閃記憶體。除此之外,即使使用G1,,邏輯電晶體和SPICE模型的特性也不會改變,因此為一般CMOS製程所設計的IP是可以被重覆使用的。

Major Features

  1. 讀寫功耗低
  2. 追加光罩最多2至3片
  3. 不會改變標準規格CMOS製程上的SPICE模型,可重複使用現有的設計及IP
  4. 測試與製程時間短,有助於降低成本

High Temperature

G1於125 °C的高溫下可連續使用20年

Large Programming Size enables Short Testing Time

LEE Flash G1 image

G1因使用FN穿隧技術,在執行寫入/抹除動作所消耗的電力非常微小,與一般使用熱載子注入來達到寫入/抹去動作的技術相比,穿隧技術只需使用其1/1,000,000的電流即可。這樣可幫助縮短測試時間,同時也有利降低成本。

Low Cost

Short Baking Time

富提亞科技獨有的記憶體結構,可簡化預測記憶體位元壽命的過程,這樣可縮短晶圓公司篩選晶圓時間。

2-3 Mask adder

G1使用在標準規格的CMOS上時只需要追加2至3片的光罩,可以降低因開發非揮發性嵌入式快閃記憶體時所需要的高額光罩成本。若是一般的非揮發性記憶體的話,通常在先進製程上需追加10片以上的光罩。

Re-use of existing IP asset

與一般的快閃IP不同,富提亞科技的快閃IP因不影響邏輯電晶體及SPIEC模型的架構,所以可以重複利用製程上既有的IP。

Short Test Time: G1 achieves very short test time for two reasons.

  1. G1所需要的測試時間很短,主要有兩個原因,其中之一為執行一次寫入/抹去所需的電力極小,所以可讓測試人員一次便可測試整個記憶體晶片,不同於傳統的嵌入式快閃記憶體只能小單位寫入/抹去,G2所需的整體測試時間很短。
  2. 另一個原因為G1編程的Vt分布因為很集中,所以可降低多次編程和驗證的需求,因此不需要複雜的步驟便可完成編程操作,進而大幅縮短編程的時間。

Sample Spec

LEE Flash G1
Item Specification
Process platform 130BCD 90nm 90BCD
supply voltage 1.8V / 2.7V~3.3V / 4.5~5.5V
Extra mask 3
Endurance 100K
Data retention 10 years@125°C
Program / Erase method FN tunneling / FN tunneling
P / E time ~2ms,  6ms
P / E unit (Bytes) 64B/4KB
P / E current ≦2mA
Access time 40ns~50ns
Read current 100uA/MHz

量產實績

  • 日本IDM 130nm / PSMC 90nm 量產中
  • TSMC 130BCD+ 開發中