富提亞科技的LEE嵌入式快閃記憶體G1是低功耗(Low-power)及低成本(cost Effective)的Embedded flash，在SoC及物聯網充分地展現其優勢

2018年9月25日,東京

嵌入式快閃記憶體的領導廠商富提亞科技與晶圓代工的領導廠商力晶科技 (Powerchip (PTC), TWSE: 5346) 在今日宣佈已有3個SoC客戶採用了富提亞科技的LEE Flash G1(嵌入式快閃記憶體IP)，除此之外，在PTC 90nm(12英吋)工藝節點上所量產的晶圓已超過30,000片。

富提亞表示，G1 IP在以下兩種市場上佔有優勢：

• SoC及物聯網方面，G1可達到良好成本效益並擁有卓越的可靠性，其可在85度的環境下保存資料的完整性至20年。
• 工業及汽車電子方面，也可達到一定的成本效益，且同時擁有高可靠性，在150度的高溫環境下保存資料的完整性至20年。

以上不管是哪種應用，皆可確保資料重複讀寫次數達10萬次。

在內建嵌入式快閃記憶體(eFlash)控制器快速成長的影響下，不管是銀行卡、安全晶片，或是物聯網相關的計算設備及各種SoC裝置，皆需要具有成本效益及高信賴度的嵌入式快閃記憶體IP。

「富提亞的G1是架構在一層氧化層上的嵌入式快閃記憶體技術，這是一種非常具有成本效益且堅固的構造，且這樣的技術在日本IDM廠被廣泛運用在車規的微控制器(MCU)上已超過20餘年」富提亞的CEO奧山幸佑先生說到。「力晶科技在90nm平臺的技術是十分領先的，且一直以來都是很好的合作夥伴。我們很高興能與幾位客戶合作，其中有3位已經到了量產的階段。我們期待能與力晶科技經營長久的合作關係，並開發更多90nm 嵌入式快閃記憶體平臺的潛在客戶」。

G1架構於氧化層(ONO)的儲存電晶體上，因使用穿隧效應(FN)來執行程式設計及擦除的動作，所以在讀取上達到了低功耗的益處。除此之外，G1只需追加極少的光罩，測試時間與制程時間也可大幅縮短，因此可為客戶省去不必要的成本。而G1其中最顯著的特色就是只需極短的時間便可開發完成，制程開發只需15個月左右且產出的良率高達99%。

關於富提亞科技

富提亞科技成立於2011年，由一群曾在日立及瑞薩開發嵌入式非揮發性記憶體長達20多年的資深工程師所組成。富提亞授權的智慧財產權包含製程及電路設計。富提亞科技的開發團隊不只有電路設計工程師，也包含對製程有專業知識的工程師。截至目前為止，富提亞擁有超過180項專利，其中包含已申請及正在申請的。

關於力晶科技

力晶於1994年12月創立於新竹科學園區，現為國內外各大半導體業者提供專業晶圓代工服務，擁有4,800位員工，資本額新臺幣222億元。