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LEE Flash G1
G1
產品資訊
LEE Flash G1,best fit eFlash to BCD process
LEE Flash G1（G1）因採取簡單的SONOS結構，可以隨製程微縮至40nm工藝節點，同時也可達到車規電子的溫度及品質要求。G1是一款高經濟效益的中等容量快閃記憶體。除此之外，即使使用G1,，邏輯電晶體和SPICE模型的特性也不會改變，因此為一般CMOS製程所設計的IP是可以被重覆使用的。
Major Features
- 讀寫功耗低
- 追加光罩最多2至3片
- 不會改變標準規格CMOS製程上的SPICE模型，可重複使用現有的設計及IP
- 測試與製程時間短，有助於降低成本
規格示例
| Item | Spec |
|---|---|
| Process platform | 130BCD |
| Memory Size | 64 Kbyte |
| Data Bus(Main) | 32 I/O |
| P/E Cycles | 100k |
| Supply Voltage | VDD 1.5V±10% |
| VCC 2.5V~5.5V | |
| Additional Masks | 2~3 |
| Operation Temperature(Tj) | -40~175℃ |
| Data Retention | 10years@175℃ post PE 10K |
High Temperature Operation
G1的數據保留特性已被證實為@200°C超過10年
Large Programming Size enables Short Testing Time
G1因使用FN穿隧技術，在執行寫入/抹除動作所消耗的電力非常微小，與一般使用熱載子注入來達到寫入/抹去動作的技術相比，穿隧技術只需使用其1/1,000,000的電流即可。這樣可幫助縮短測試時間，同時也有利降低成本。
Low Cost
Short Test Time: G1 achieves very short test time for two reasons.
- G1所需要的測試時間很短，主要有兩個原因，其中之一為執行一次寫入/抹去所需的電力極小，所以可讓測試人員一次便可測試整個記憶體晶片，不同於傳統的嵌入式快閃記憶體只能小單位寫入/抹去，G2所需的整體測試時間很短。
- 另一個原因為G1編程的Vt分布因為很集中，所以可降低多次編程和驗證的需求，因此不需要複雜的步驟便可完成編程操作，進而大幅縮短編程的時間。
Short Baking Time
富提亞科技獨有的記憶體結構,可簡化預測記憶體位元壽命的過程，這樣可縮短晶圓公司篩選晶圓時間。
2-3 Mask adder
G1使用在標準規格的CMOS上時只需要追加2至3片的光罩，可以降低因開發非揮發性嵌入式快閃記憶體時所需要的高額光罩成本。若是一般的非揮發性記憶體的話，通常在先進製程上需追加10片以上的光罩。
Re-use of existing IP asset
與一般的快閃IP不同，富提亞科技的快閃IP因不影響邏輯電晶體及SPIEC模型的架構，所以可以重複利用製程上既有的IP。
Track Record
| Manufacturing status | Item |
|---|---|
| Mass Production | 130nm, PSMC 90nm |
| Available on | TSMC 130BCD+ |
| Under development | PSMC 80BCD, SMIC 90BCD, UMC 110BCD |
