LEE Flash ZT

ZT

產品資訊

LEE Flash ZT, Zero Additional Mask MTP

LEE Flash ZT（ZT）具備車規電子要求的耐高溫特性。特別適用於汽車的感測器、電源及類比IC等的參數調整與數據儲存。另外，因測試及製程時間短，所以也可達到降低成本的效益。在製程過程中不需要追加任何額外的光罩與製程步驟。ZT可支援約最高40奈米的工藝節點和10K次 P / E週期。

Major Features

  1. 具有在惡劣的汽車環境下可高溫動作及保存的特性
  2. 讀取動作只需微小電力
  3. 測試與製程時間短，有助於降低成本
  4. 可於標準的CMOS裝置搭載既有的設計及IP
  5. 設計簡單，不需追加光罩
Image: LEE Flash ZT, Zero Additional Mask MTP

規格示例

LEE Flash ZT
ItemSpec
Process platform180BCD
Memory Size512 Bytes(4K bits)
P/E Cycles> 100k
Supply VoltageVDD 2.5V~5.5V
Additional Masks0
Operation Temperature(Tj)-40~150℃
Data Retention20years@-40~150℃

High Temperature Operation

ZT於125 °C的高溫下可連續使用20年。 ZT在車規電子的應用量產已有相當好的評價

Large Program Size enables Short Testing Time

P/E: FN tunnel current

ZT因使用FN穿隧技術，在執行寫入/抹除動作所消耗的電力非常微小，與一般使用熱載子注入來達到寫入/抹去動作的技術相比，穿隧技術只需使用其1/1,000,000的電流即可。這樣可幫助縮短測試時間，同時也有利降低成本。

Low Cost

Short Baking Time

富提亞科技獨有的記憶體結構可簡化預測記憶體位元壽命的過程，這樣可縮短晶圓公司篩選晶片時的時間。

Zero Mask

因為當ZT使用在標準規格CMOS上時不需要額外變更或追加光罩，所以不會增加成本。

Field Programmability

富提亞科技的ZT可以讓客戶在交付產品時，或甚至在產品已在運作時，對NVM進行編程，以便微調或參數設定。

Track Record

Manufacturing statusItem
Mass Productionin several Japanese IDM
Available onHHGrace 180BCD

產品資訊

Floadia Corp.

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