LEE Flash ZA (ZA) 是反熔絲單次寫入式非易失性記憶體。非常適合調校(trimming)和修復DRAM的記憶體(memory repair)。
在製程過程中不需要追加任何額外的光罩與製程步驟。由於可以提供2層到3層佈線層，因此可以自由活用上層佈線，甚至可以支持最先進製程。有關詳細規格等，請透過電子郵件表格與我們聯繫。