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嵌入式快閃記憶體矽智財領導廠商富提亞科技12億日圓增資達標

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日商富提亞科技有限公司(總部位於東京都小平市,社長為奧山幸佑,以下簡稱「富提亞」),完成C輪的增資成功募得近12億日圓的資金。除了擴大既有的嵌入式快閃記憶體矽智財事業體之外,富提亞更計畫將此筆資金運用在邊緣運算中的AI演算法等嶄新領域,並力求開發出每單位功耗下產生最高演算能力的半導體元件。

 

此次的增資中,第一階段以帝人集團為首,與東京威力科創集團旗下的子公司TEL Venture Capital Inc.,通過協力廠商配股的方式合計增資5.3億日圓。第二階段則由Miyako capital、Marubeni ventures、NEC Capital Solutions Limited及IDATEN Ventures等公司,合計增資5.1億日圓(協力廠商配股)。除此之外,日本政策金融公庫也進行了1.8億日圓的融資。

 

富提亞是由出身於日本瑞薩電子的資深工程師,於2011年所創立的公司。其業務為透過授予半導體晶片設計商矽智財(IP)的方式,提供使用於微型計算器、電源管理晶片、感測器等晶片的非揮發性嵌入式快閃記憶體(斷電後也保有儲存功能),所需的製程與電路設計。相較於其他公司,富提亞的專業技術,能使非揮發性嵌入式快閃記憶體只需使用其1/1,000,000的電流就可執行寫入/清除動作[1],並有優異的耐熱性,更可降低約1/3晶片所需的額外成本。富提亞的嵌入式快閃記憶體因為擁有上述優異的特性,除了已被運用在車規的微處理器之外,東芝(TOSHIBA)也在自家的微處理器上採用此裝置。除此之外,臺灣的晶圓代工廠也在其製造的智慧型手機晶片中使用其嵌入式快閃記憶體。

 

富提亞的非揮發快閃記憶體矽智財可建置在既有的製程上,不影響既有的矽智財設計便能完成開發。隨著5G的智慧手機、智慧手錶及無線耳機等各種IoT裝置的發展,縮小電路面積及降低功耗變得越來越關鍵。在這樣的情況下,各家廠商開始嘗試將數位電路與類比電路搭載在同一片晶片上。富提亞與主要的晶圓代工廠合作,預計在2021年年初在130nm BCD plus(Bipolar・CMOS・DMOS)的平臺上,量產其非揮發性快閃記憶體的矽智財。

 

富提亞除了將此次募得的資金利用於既有的非揮發性快閃記憶體技術上,更會加速開發出比原先耗電量更低且能夠執行高階AI演算法的半導體元件。

 

現在的高階AI演算,主要是由像資料中心等大規模的雲端伺服器在運算,但由雲端執行的AI演算通常會有耗電量大及隱私安全等疑慮。另一方面,自動駕駛汽車及無人機等需要時時運算的機器,就無法仰賴雲端作運算,而是必須要在邊緣側執行AI的演算。若富提亞成功的將非揮發性快閃記憶體技術運用在半導體元件上的話,就可以大幅降低AI演算時的耗電量,這樣便可將現行必須仰賴雲端的AI演算,轉而在邊緣側進行運算。

 

截至目前為止,富提亞已與INCJ、晶圓代工大廠聯華電子(UMC)旗下的宏誠創投(UMC Capital)及半導體產業的領導設計公司智原科技(Faraday Technology)等公司合作並成功募得約24億日圓的資金。此次募資的累計金額總計約36億日圓。

 

[1] 富提亞的非揮發性快閃記憶體因使用穿隧技術,所以可使用極低的電力達到寫入/清除的動作。與一般的技術相比,只需使用其1/1,000,000的電流即可。