日本東京的富提亞科技有限公司(Floadia Corporation, 以下簡稱「富提亞科技」)為嵌入式快閃記憶體矽智財領導廠商，於2021年11月15日宣佈其高品質嵌入式非揮發性記憶體（eNVM, embedded Non-volatile Memory），產品名稱為“ZT” ，可耐受150°C並保存資料10年，現可在上海華虹宏力半導體製造有限公司（HHGrace）180BCD（Z8）平台上提供客戶使用。

富提亞科技的ZT完全相容標準邏輯和雙極-互補金屬氧化半導體-雙重擴散金屬氧化半導體工藝（Bipolar-CMOS-DMOS , “BCD”)，無需任何額外的光罩和製程步驟。ZT實現150℃10年高可靠性資料保存，循環次數高達10萬次。ZT使用FN隧道方法來實現低功耗的寫入和擦除。

富提亞科技的ZT已被多家日本 IDM廠廣泛採用，並用於各種汽車應用，包括傳動系統、壓力感測器、電機驅動器和發動機控制系統晶片。富提亞科技此次於上海華虹宏力半導體製造有限公司180BCD (Z8) 平台上新推出的ZT矽智財為 4kbit ，非常適合汽車和工業用途，以支援該領域的微調、校準和頻繁的 ID 更新需求。 ZT已獲一家中國本土汽車晶片製造商採用，並計畫於2022年量產。

關於富提亞科技

富提亞科技成立於2011年，由一群曾在日立及瑞薩開發嵌入式非揮發性記憶體長達20多年的資深工程師所組成。富提亞科技授權的智慧財產權包括嵌入式記憶體生產所必需的製程和電路設計。富提亞科技的開發團隊不只有電路設計工程師，也包含對製程有專業知識的工程師。截至目前為止，富提亞科技擁有超過200項專利，其中包含已申請及正在申請的。